STMicroelectronics Høj spænding, Gate-driver 2, 16 A, 35 Ben 21V, QFN

STMicroelectronics avanceret strømforsyningssystem-i-pakke, der integrerer to forbedringsmodus GaN-transistorer i en halv brokonfiguration, der drives af en højspændings, højfrekvent gate driver. De integrerede effekt-GaN'er har typisk RDS(ON) på 140 mΩ og 650 V drænkildeblokeringsspænding. Den har lineære regulatorer på både den nederste og øverste kørselssektion for at optimere kørseffektiviteten. Den høje side af den integrerede gate driver kan leveres af den integrerede bootstrap-diode. Spærringsfunktionen undgår tværføringsforhold. Den avancerede driversektion muliggør takket være den lille udbredelsesforsinkelse, meget kort opvågningstid og korte, minimale tændtider højfrekvent skiftefunktion. Det udvidede udvalg af indgangsben samt fjernsignalbenet (FLT) muliggør nem interfacing med kontrollere, mikrokontrollere eller DSP-enheder. Standby-benet gør det muligt at reducere enhedens strømforbrug i inaktive perioder.

Strømforsyningssystem i pakke, der integrerer 650 V GaN transistorer halvbro med højspændings gate driver