Microchip Halvbro, Gate-driver 2, 600 mA, 8 Ben 20V, SOIC
- RS-varenummer:
- 813-753
- Producentens varenummer:
- MCP14H2184-E/SN
- Brand:
- Microchip
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 9,36
(ekskl. moms)
Kr. 11,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Nyt produkt - forudbestil i dag
- Afsendelse fra 23. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 9,36 |
| 10 - 24 | Kr. 8,22 |
| 25 - 99 | Kr. 7,44 |
| 100 - 499 | Kr. 6,39 |
| 500 + | Kr. 5,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 813-753
- Producentens varenummer:
- MCP14H2184-E/SN
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | Gate-driver | |
| Udgangsstrøm | 600mA | |
| Benantal | 8 | |
| Faldtid | 12ns | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Antal udgange | 2 | |
| Driver-type | Halvbro | |
| Stigetid | 18ns | |
| Forsyningsspænding min. | 10V | |
| Forsyningsspænding maks. | 20V | |
| Antal drivere | 2 | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Højde | 1.75mm | |
| Længde | 4.90mm | |
| Serie | MCP14H | |
| Bredde | 6.00mm | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype Gate-driver | ||
Udgangsstrøm 600mA | ||
Benantal 8 | ||
Faldtid 12ns | ||
Emballagetype SOIC | ||
Antal udgange 2 | ||
Driver-type Halvbro | ||
Stigetid 18ns | ||
Forsyningsspænding min. 10V | ||
Forsyningsspænding maks. 20V | ||
Antal drivere 2 | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Højde 1.75mm | ||
Længde 4.90mm | ||
Serie MCP14H | ||
Bredde 6.00mm | ||
Monteringstype Overflade | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Microchip gate-driver er en højspændings- og højhastighedsløsning, der er udviklet til at drive N-kanals MOSFET'er og IGBT'er. Denne halvbrokomponent understøtter konfigurationer med høj side og lav side med en flydende kanal, der er i stand til at betjene op til 600 V via bootstrap-drift.
Fast intern dødtid på 400 ns for at forhindre krydsledning
Forsyningsspændingsområde fra 10 V til 20 V
Driftstemperatur fra -40 til 125 grader celsius
Højhastighedstiming med 40 ns stignings- og 20 ns faldtider
