Texas Instruments LM5111-1M/NOPB, MOSFET gate-driver, TTL, 5 A, 14V, 8 Ben, SOIC

En serie af dedikerede gatedriver-IC'er fra Texas Instruments, der er velegnede til både MOSFET- og IGBT-anvendelser. Enhederne kan tilbyde velegnede stærkstrømsudgange, der er kompatible med drevkravene til MOSFET- og IGBT-strømforsyninger og findes i en række forskellige konfigurationer og hustyper.

Texas Instruments 2-gate-driveren erstatter industristandard gate-drivere med forbedret Peak udgangsstrøm og effektivitet. Hvert komponentudgangsdrivertrin omfatter MOS og bipolære transistorer, der arbejder parallelt, og som sammen sænker mere end 5-A Peak fra kapacitive belastninger. Kombinationen af de unikke egenskaber ved MOS og bipolære enheder reducerer variation i drivstrøm med spænding og temperatur. Der er også beskyttelse mod underspændingsspærring. Driverne kan betjenes parallelt med indgange og udgange, der er tilsluttet for at fordoble drevets strømkapacitet. Denne enhed er tilgængelig i SOIC-pakken eller den termisk forbedrede

Driver uafhængigt to N-kanal MOSFET'er
Compound CMOS og bipolære udgange reducerer variation i udgangsstrøm
5-A kapacitet til sink og 3-A kildestrøm
To kanaler kan tilsluttes parallelt til dobbelt så stærk strøm
Uafhængige indgange (TTL-kompatibel)
Hurtige udbredelsestider (typisk 25 ns)
Hurtig stignings- og faldetid (hhv. 14 ns og 12 ns stige- og faldetid med 2 nF belastning)
Fås i konfigurationer med dobbelt inverterende, dobbelt inverterende og kombinationskonfiguration
Spærrebeskyttelse for underspænding på forsyningsskinne (UVLO) ƒ
LM5111-4 UVLO konfigureret til at drive PFET gennem OUT_A og NFET gennem OUT_B
PIN-kompatibel med industristandard gate-drivere

MOSFET og IGBT drivere, Texas Instruments