onsemi MOSFET, MOSFET 2, 1.5 A, 8 Ben 18 V, PDIP
- RS-varenummer:
- 145-3064
- Producentens varenummer:
- MC33151PG
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 389,20
(ekskl. moms)
Kr. 486,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 7,784 | Kr. 389,20 |
| 100 - 200 | Kr. 7,317 | Kr. 365,85 |
| 250 + | Kr. 7,004 | Kr. 350,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 145-3064
- Producentens varenummer:
- MC33151PG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Udgangsstrøm | 1.5A | |
| Benantal | 8 | |
| Emballagetype | PDIP | |
| Faldtid | 16ns | |
| Driver-type | MOSFET | |
| Stigetid | 14ns | |
| Forsyningsspænding min. | 18V | |
| Forsyningsspænding maks. | 18V | |
| Antal drivere | 2 | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 85°C | |
| Serie | MC33151 | |
| Længde | 10.02mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 5.33mm | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Udgangsstrøm 1.5A | ||
Benantal 8 | ||
Emballagetype PDIP | ||
Faldtid 16ns | ||
Driver-type MOSFET | ||
Stigetid 14ns | ||
Forsyningsspænding min. 18V | ||
Forsyningsspænding maks. 18V | ||
Antal drivere 2 | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 85°C | ||
Serie MC33151 | ||
Længde 10.02mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 5.33mm | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- ID
MOSFET og IGBT drivere, ON Semiconductor
Strømdrivere til MOSFET og IGBT i lav side, høj side, og half-bridge-kredsløb.