AEC-Q100 Skyworks Solutions Inc Si8275DBD-IM1, MOSFET gate-driver, TTL, 1,8 A, 4 A., 5.5V, 14 Ben, QFN

Si8275DBD-IM1-enheder giver mulighed for A VIA-, VIB-indgange og dobbelt driver. Si8275DBD-IM2 med dens høje støjimmunitet eliminerer risikoen ved Faster switching-hastigheder. De høje støjtransienter, der genereres af Faster switching, påvirker ikke signalintegriteten gennem driveren, hvilket eliminerer risikoen for tab af modulation. De meget høje specifikationer for låsning af 400 kV/μs gør Si8275DBD-IM2-enheder ekstremt robuste, forhindrer permanent beskadigelse af låsen og har UVLO-fejlbeskyttelse, et "deflitch"-kredsløb til filtrering af støjfyldte indgange og programmering af meget præcis dødtid (DT-ben). Med denne funktion kan brugerne præcist kontrollere "dødtid" mellem de to drivere, der skifter, for at optimere systemets effektivitet og sikkerhed. Driverne fungerer med et bredt udvalg af 2,5 V - 5,5 V indgang VDD og en maksimal forsyningsspænding på 30 V.