Infineon IR35412MTRPBFAUMA1, MOSFET gate-driver, 50 A, 4.25 → 16V, PQFN

Det integrerede effekttrin fra Infineon kombinerer den mest Advanced lavspændings MOSFET-teknologi med det nyeste driverdesign. Denne integration af driverteknologi, FET-teknologi og pakketeknologi demonstrerer også den kraftfulde kombination af Infineon og International Rectifiers funktioner. Dødtiden ved dobbeltkant-beskæring fører til en betydelig forbedring af Peak-effektiviteten. Den interne MOSFET RDS(on) strømregistrering (via dedikeret Kelvin GND-forbindelse) med integreret temperaturkompensation giver overlegen strømfølende nøjagtighed i forhold til induktans DCR-registreringsmetoder.

Lille 5 x 6 x 0.9 mm³ overstøbt PQFN-hus, 0.45 mm afstand
Meget nøjagtig strømrapportering
Programmerbar konstant strømbegrænsning OCSET
Hurtig skifteteknologi for forbedret ydeevne ved højere frekvens, bedre Peak-effektivitet
Indgangsspændingsområde 4.25 V til 16 V.
Udgangsspændingsområde fra 0.25 V op til 5.5 V.
Udgangsstrøm på 50 A.
Drift op til 1.5 MHz
Optimeret til 5 V drev