AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul 2, 1.9 A, 8 Ben 20 V, SOIC
- RS-varenummer:
- 221-6667
- Producentens varenummer:
- NCV57201DR2G
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 10.610,00
(ekskl. moms)
Kr. 13.262,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 02. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 4,244 | Kr. 10.610,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 221-6667
- Producentens varenummer:
- NCV57201DR2G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | IGBT-modul | |
| Udgangsstrøm | 1.9A | |
| Benantal | 8 | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Driver-type | IGBT | |
| Stigetid | 13ns | |
| Forsyningsspænding min. | 20V | |
| Forsyningsspænding maks. | 20V | |
| Antal drivere | 2 | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Højde | 1.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5mm | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype IGBT-modul | ||
Udgangsstrøm 1.9A | ||
Benantal 8 | ||
Emballagetype SOIC | ||
Driver-type IGBT | ||
Stigetid 13ns | ||
Forsyningsspænding min. 20V | ||
Forsyningsspænding maks. 20V | ||
Antal drivere 2 | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Højde 1.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5mm | ||
Monteringstype Overflade | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100 | ||
on Semiconductor NCx57201 er en højspændings gate-driver med en ikke-isoleret lav side gate-driver og en galvanisk isoleret høj- eller lav side gate-driver. Den kan køre to IGBT'er direkte i en konfiguration med en halv bro. Den isolerede driver i den høje side kan strømforsynes med en isoleret strømforsyning eller med bootstrap-teknik fra den lave side af strømforsyningen. Den galvaniske isolation til driveren til den høje side af gate garanterer pålidelig omskiftning i anvendelser med høj effekt til IGBT'er, der fungerer op til 800 V ved høj dv/dt.
Matchet udbredelsesforsinkelse 90 ns
Indbygget 20 ns min. pulsbreddefilter
Ikke-inverterende udgangssignal
CMTI op til 100 kV/s.
Pålidelig drift for VS negativt sving ned til −800 V.