Infineon MOSFET, MOSFET 2, 3 A, 8 Ben 17V, DSO
- RS-varenummer:
- 226-6011
- Producentens varenummer:
- 1EDC30I12MHXUMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 85,45
(ekskl. moms)
Kr. 106,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 820 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 17,09 | Kr. 85,45 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 226-6011
- Producentens varenummer:
- 1EDC30I12MHXUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Udgangsstrøm | 3A | |
| Benantal | 8 | |
| Faldtid | 9ns | |
| Emballagetype | DSO | |
| Antal udgange | 2 | |
| Driver-type | MOSFET | |
| Stigetid | 10ns | |
| Forsyningsspænding min. | 15V | |
| Antal drivere | 2 | |
| Forsyningsspænding maks. | 17V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Længde | 7.6mm | |
| Højde | 2.65mm | |
| Bredde | 6.4mm | |
| Serie | 1EDC30I12MH | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Udgangsstrøm 3A | ||
Benantal 8 | ||
Faldtid 9ns | ||
Emballagetype DSO | ||
Antal udgange 2 | ||
Driver-type MOSFET | ||
Stigetid 10ns | ||
Forsyningsspænding min. 15V | ||
Antal drivere 2 | ||
Forsyningsspænding maks. 17V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Længde 7.6mm | ||
Højde 2.65mm | ||
Bredde 6.4mm | ||
Serie 1EDC30I12MH | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Monteringstype Overflade | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 1EDCxxI12MH er galvanisk isoleret IGBT-driver med en enkelt kanal i et PG-DSO-8-59 hus, der giver udgangsstrøm op til 3 A og et integreret aktivt Miller-klemmekredsløb med samme mærkestrøm til beskyttelse mod standby-standby-aktivering. De logiske indgangsstifter fungerer på et bredt indgangsspændingsområde fra 3 V til 15 V ved hjælp af skaleret CMOS tærskelniveau til understøttelse af selv 3,3 V mikrokontroller. Dataoverførsel på tværs af isolationsbarrieren sker via den korløse transformer-teknologi.
Enkeltkanals isoleret gate-driver
Til 600 V/650 V/1200 V IGBT'er, MOSFET'er og SiC MOSFET'er
Op til 6 A typisk peak-strøm ved skinne-til-skinne udgang
Aktivt Miller-beslag