Infineon MOSFET, MOSFET 2, 4 A, 8 Ben 17V, DSO

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 120,58

(ekskl. moms)

Kr. 150,73

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 785 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 20Kr. 24,116Kr. 120,58
25 - 45Kr. 20,496Kr. 102,48
50 - 120Kr. 19,284Kr. 96,42
125 - 245Kr. 17,848Kr. 89,24
250 +Kr. 16,636Kr. 83,18

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
226-6013
Producentens varenummer:
1EDC40I12AHXUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Udgangsstrøm

4A

Benantal

8

Emballagetype

DSO

Faldtid

9ns

Driver-type

MOSFET

Antal udgange

2

Stigetid

10ns

Forsyningsspænding min.

15V

Antal drivere

2

Forsyningsspænding maks.

17V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

125°C

Højde

2.65mm

Længde

7.6mm

Bredde

6.4mm

Serie

1EDC40I12AH

Standarder/godkendelser

No

Monteringstype

Overflade

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 1EDCxxI12AH er galvanisk isoleret IGBT-driver med en enkelt kanal i et PG-DSO-8-59 hus, der giver udgangsstrøm op til 10 A ved adskilte udgangsben. De logiske indgangsstifter fungerer på et bredt indgangsspændingsområde fra 3 V til 15 V ved hjælp af skaleret CMOS tærskelniveau til understøttelse af selv 3,3 V mikrokontroller. Dataoverførsel på tværs af isolationsbarrieren sker via den korløse transformer-teknologi.

1-kanals isoleret IGBT driver

Til 600 V/650 V/1200 V IGBT'er, MOSFET'er og SiC MOSFET'er

Op til 10 A typisk peak-strøm ved skinne-til-skinne udgange

Separat kilde- og sink-udgang

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.