Infineon MOSFET, MOSFET 2, 13.5 A, 8 Ben 15V, DSO
- RS-varenummer:
- 233-3474
- Producentens varenummer:
- 1ED3123MC12HXUMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 10.143,00
(ekskl. moms)
Kr. 12.679,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 13. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 10,143 | Kr. 10.143,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 233-3474
- Producentens varenummer:
- 1ED3123MC12HXUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Udgangsstrøm | 13.5A | |
| Benantal | 8 | |
| Faldtid | 30ns | |
| Emballagetype | DSO | |
| Driver-type | MOSFET | |
| Stigetid | 30ns | |
| Forsyningsspænding min. | 3V | |
| Forsyningsspænding maks. | 15V | |
| Antal drivere | 2 | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Serie | 1ED3123MC12H | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.65mm | |
| Længde | 7.5mm | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Udgangsstrøm 13.5A | ||
Benantal 8 | ||
Faldtid 30ns | ||
Emballagetype DSO | ||
Driver-type MOSFET | ||
Stigetid 30ns | ||
Forsyningsspænding min. 3V | ||
Forsyningsspænding maks. 15V | ||
Antal drivere 2 | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Serie 1ED3123MC12H | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.65mm | ||
Længde 7.5mm | ||
Monteringstype Overflade | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET Gate Driver, 13,5A udgangsstrøm, 3V forsyningsspænding - 1ED3123MC12HXUMA1
Denne MOSFET-gate-driver er en højtydende komponent, der er designet til at håndtere signalkonvertering og drive MOSFET'er effektivt. Den er indkapslet i en kompakt PG-DSO-8-pakke og har imponerende specifikationer som f.eks. en maksimal udgangsstrøm på 13,5 A og et forsyningsspændingsområde fra 3 V til 15 V. Inddragelsen af avancerede funktioner gør den velegnet til forskellige anvendelser inden for automatisering og elektroteknik.
Egenskaber og fordele
• Integreret underspændingsspærre for sikker drift
• Hurtige stignings- og faldtider forbedrer skifteeffektiviteten
• To separate udgange til fleksible kontrolkonfigurationer
• Kan klare høje omgivelsestemperaturer for robust ydeevne
Anvendelser
• Bruges i AC- og børsteløse DC-motordrev
• Integreret i højspændings DC-DC-konvertere
• Ideel til DC-AC-inverter
• Effektiv i induktionsvarmesystemer
• Velegnet til kommercielle airconditionsystemer
Hvad gør underspændingsspærren vigtig i driften?
Undervoltage lockout-funktionen sikrer, at gate-driveren kun fungerer, når forsyningsspændingen er over de indstillede tærskler, hvilket forhindrer funktionsfejl eller skader på grund af utilstrækkelig strømforsyning.
Hvordan forbedrer den aktive Miller-klemme ydeevnen under drift?
Den aktive Miller-klemme giver en vej med lav impedans til at omdirigere Miller-strømmen, hvilket mindsker risikoen for utilsigtet tænding af tilstødende IGBT'er, hvilket er afgørende for at forhindre systemfejl.
Hvad er betydningen af den høje common-mode transiente immunitet?
En common-mode transient immunitet på over 200 kV/μs indikerer enhedens robusthed over for spændingsspidser, hvilket gør den pålidelig i miljøer med høj støj, som er typiske for industrielle anvendelser.
Kan denne driver bruges med forskellige typer MOSFET'er?
Ja, den er kompatibel med Si, SiC MOSFET'er og forskellige IGBT'er, hvilket giver alsidighed på tværs af forskellige designs og anvendelser.
Hvordan gavner den kompakte PG-DSO-8-pakke installationen?
PG-DSO-8-pakken sikrer et overflademonteret design, der forenkler PCB-layout og reducerer pladsbehovet, hvilket er en fordel i applikationer med høj densitet.
