Infineon MOSFET, Gate-driver 2, 1.9 A, 8 Ben 20V, SOIC

Denne gate-driver er en dobbeltkanals MOSFET-driver, der er designet til at styre switching-transistorer i strømkonverteringskredsløb, der fungerer fra en lavspændingsforsyning til en moderat forsyningsskinne. Den leveres i en kompakt overflademonteret SOIC 8-benet pakke og er beregnet til printmonterede anvendelser, der kræver præcist drev af to udgange med hurtige skifteegenskaber.

• 10 V til 20 V forsyningsområde muliggør fleksibelt valg af systemspænding
• 1,9 A udgangsstrøm giver robust MOSFET-gate-opladningskapacitet
• 40 ns stigetid reducerer overgangstab ved tænding
• 35 ns faldtidsgrænser for tab af energi ved slukning
• Fungerer fra -40 °C til 125 °C for udvidet termisk tolerance
• To drivere med to udgange understøtter drift af to enheder

• Velegnet til at drive komplementære MOSFET-par i DC-DC-konvertere
• Ideel til brug i PWM-switch-trin med halv bro
• Anvendes sammen med gate-drivkredsløb i motorstyringsinvertere
• Kan bruges til synkron ensretter-portstyring i forsyninger
• Anvendes til kompakte overflademonterede strømmoduler på kort med begrænset plads

Enheden tilbydes i et lille SOIC-hus til overflademontering, der måler 4 mm bredde, 5 mm længde og 1,75 mm højde, hvilket letter tæt PCB-placering.

Den giver to udgange, der drives af to interne drivere, hvilket giver mulighed for uafhængig styring af parrede MOSFET'er.

Den understøtter drift over et bredt omgivende område fra -40 °C op til maks. 125 °C til anvendelse ved høje temperaturer.

Det er ikke specificeret, at det opfylder bilstandarder og bør evalueres i overensstemmelse hermed for implementeringer i køretøjsklasse.