Infineon MOSFET, Gate-driver, 1.9 A, 8 Ben 20V, SOIC

Denne gate-driver giver 2-kanals styring til MOSFET'er i lavspændingstrin, hvilket giver hurtig skiftekapacitet inden for et forsyningsområde på 10 V-20 V. Den leveres i en 8-benet SOIC-pakke til overflademontering og er beregnet til industrielle miljøer, hvor der opstår ekstreme temperaturer. Enheden understøtter anvendelser, der kræver kontrollerede stige- og faldtider og moderat udgangsdrevstrøm.

• 1,9 A udgangsstrøm muliggør effektiv håndtering af gate-ladning
• 35 ns faldtid reducerer koblingstab ved slukning
• 40 ns stigetid forbedrer tændingsovergangskontrol
• Fungerer fra minimum 10 V til lavspændingsdesign
• 20 V maksimal forsyning muliggør højere gate-drevspændinger
• Mærkeværdi op til maks. 125 °C for drift ved høje temperaturer

• Velegnet til drift af dobbelte MOSFET-trin i effektomformere
• Anvendes sammen med halvbrotopologier, der kræver matchende udgange
• Ideel til industriel omskiftning, hvor et bredt temperaturområde er vigtigt
• Kan bruges til kompakte strømforsyningsenheder til overflademontering
• Anvendes til systemer, der har brug for en 8-benet SOIC-formfaktor

Den leveres i en 8-benet SOIC-pakke, der er beregnet til overflademontering.

Den fungerer ned til -40 °C og op til 125 °C, hvilket giver mulighed for brug i barske miljøer.

Den har to udgange, der er designet til at drive MOSFET-porte i dobbeltkanals konfigurationer.

Enheden måler 1,75 mm i højden og 8,74 mm i længden.

Den er ikke specificeret til brug i bilindustrien og bør ikke antages at være kompatibel.