AEC-Q100 onsemi MOSFET, MOSFET, 6.5 μA, 16 Ben 22V, SOIC
- RS-varenummer:
- 229-6337
- Producentens varenummer:
- NCD57252DWR2G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 43,08
(ekskl. moms)
Kr. 53,84
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 416 enhed(er) afsendes fra 12. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 21,54 | Kr. 43,08 |
| 20 - 198 | Kr. 18,59 | Kr. 37,18 |
| 200 + | Kr. 16,12 | Kr. 32,24 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-6337
- Producentens varenummer:
- NCD57252DWR2G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Udgangsstrøm | 6.5μA | |
| Benantal | 16 | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Faldtid | 10ns | |
| Driver-type | MOSFET | |
| Antal udgange | 2 | |
| Stigetid | 12ns | |
| Forsyningsspænding min. | 5V | |
| Forsyningsspænding maks. | 22V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Længde | 10.45mm | |
| Serie | NCD57252 | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 7.6mm | |
| Højde | 2.65mm | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Udgangsstrøm 6.5μA | ||
Benantal 16 | ||
Emballagetype SOIC | ||
Faldtid 10ns | ||
Driver-type MOSFET | ||
Antal udgange 2 | ||
Stigetid 12ns | ||
Forsyningsspænding min. 5V | ||
Forsyningsspænding maks. 22V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Længde 10.45mm | ||
Serie NCD57252 | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 7.6mm | ||
Højde 2.65mm | ||
Monteringstype Overflade | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100 | ||
ON Semiconductor NCDV575 serien højstrøms 2-kanals isolerede IGBT/MOSFET gate-drivere med 2.5 eller 5 kgRMS intern galvanisk isolation fra indgang til udgang og funktionel isolation mellem de to udgangskanaler. Enheden accepterer 3.3 V til 20 V bias-spænding og signalniveauer på indgangssiden og op til 32 V bias-spænding på udgangssiden.
Designfleksibilitet
Ensartet ydeevne
Hurtigere skiftekapacitet
Korte transmissionsforsinkelser med nøjagtig matchning