Infineon MOSFET, MOSFET 2, 5.5 A, 8 Ben 15V, DSO
- RS-varenummer:
- 233-3480
- Producentens varenummer:
- 1ED3131MC12HXUMA1
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 233-3480
- Producentens varenummer:
- 1ED3131MC12HXUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Udgangsstrøm | 5.5A | |
| Benantal | 8 | |
| Faldtid | 30ns | |
| Emballagetype | DSO | |
| Driver-type | MOSFET | |
| Stigetid | 30ns | |
| Forsyningsspænding min. | 3V | |
| Forsyningsspænding maks. | 15V | |
| Antal drivere | 2 | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.65mm | |
| Længde | 7.5mm | |
| Serie | 1ED3131MC12H | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Udgangsstrøm 5.5A | ||
Benantal 8 | ||
Faldtid 30ns | ||
Emballagetype DSO | ||
Driver-type MOSFET | ||
Stigetid 30ns | ||
Forsyningsspænding min. 3V | ||
Forsyningsspænding maks. 15V | ||
Antal drivere 2 | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.65mm | ||
Længde 7.5mm | ||
Serie 1ED3131MC12H | ||
Monteringstype Overflade | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 1ED3131 har separat vask og kildeudgang, nøjagtig og stabil timing, aktiv nedlukning for at sikre en sikker IGBT off-tilstand, hvis udgangschippen ikke er tilsluttet strømmen, kortslutningsspænding for at begrænse gate-spændingen under kortslutning. Driveren kan fungere over et bredt forsyningsspændingsområde, enten unipolær eller bipolær. Den har 5.5 A udgangsstrøm.
Integrerede filtre reducerer behovet for eksterne filtre
Høj isolationsevne
Stram signalforsinkelse giver minimal dødtid, hvilket forbedrer systemets effektivitet og reducerer harmonisk forvrængning