STMicroelectronics STGAP2SICDTR, MOSFET gate-driver, CMOS, TTL, 4 A, 3.1 V, 5.5 V, 36 Ben, SO-36W

STMicroelectronics STGAP2SiCD er en dobbelt gate-driver til SiC MOSFET'er, som giver galvanisk isolation mellem hver gate driving channel og lavspændings styrings- og interfacekredsløbet. Gate-driveren er kendetegnet ved 4 A strømkapacitet og skinne-til-skinne udgange, hvilket gør den velegnet til anvendelser med middel og høj effekt som f.eks. strømkonvertering og industrielle motordrivere invertere. De adskilte udgangsben gør det muligt uafhængigt at optimere til- og frakobling ved hjælp af dedikerede gate-modstande, mens Miller KLEMMEFUNKTIONEN gør det muligt at undgå gate-spidser under hurtige kommutationer i half-bridge topologier. Enheden integrerer beskyttelsesfunktioner: Dedikerede SD- og BREMSESTIFTER er tilgængelige, UVLO og termisk nedlukning er inkluderet for nemt at designe systemer med høj pålidelighed.

4 A Miller KLEMME
UVLO-funktion
Konfigurerbar låsefunktion
Dedikerede SD- og BREMSESTIFTER
Gate drivspænding op til 26 V.
3,3 V, 5 V TTL-/CMOS-indgange med hysterese
Beskyttelse mod temperaturafbrydelse
Standby-funktion
6 kV galvanisk isolation
Bredt hus SO-36W

I half-bridge topologier forhindrer sammenkoblingsfunktionen udgange i at være høje på samme tid, så gennemgangsbetingelser undgås i tilfælde af forkerte logiske indgangskommandoer. Interlock-funktionen kan deaktiveres med et dedikeret konfigureringsben, hvilket muliggør uafhængig og parallel drift af de to kanaler. Resultaterne af input til output-forsinkelse er indeholdt i 75 ns, hvilket giver høj PWM-styringsnøjagtighed. En standbytilstand er tilgængelig for at reducere strømforbruget i tomgang.