Infineon MOSFET, MOSFET, 1 A, 11 Ben 11V, PG-VSON-10
- RS-varenummer:
- 240-8521
- Producentens varenummer:
- 1EDN7136GXTMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*
Kr. 6.836,00
(ekskl. moms)
Kr. 8.544,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | Kr. 1,709 | Kr. 6.836,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 240-8521
- Producentens varenummer:
- 1EDN7136GXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Udgangsstrøm | 1A | |
| Benantal | 11 | |
| Faldtid | 5.5ns | |
| Emballagetype | PG-VSON-10 | |
| Driver-type | MOSFET | |
| Forsyningsspænding min. | 11V | |
| Forsyningsspænding maks. | 11V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Udgangsstrøm 1A | ||
Benantal 11 | ||
Faldtid 5.5ns | ||
Emballagetype PG-VSON-10 | ||
Driver-type MOSFET | ||
Forsyningsspænding min. 11V | ||
Forsyningsspænding maks. 11V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon EiceDRAGER TM 1EDN7113G er en 1-kanals gate-driver IC, der er optimeret til kompatibilitet med CoolGaN TM HEMT, og den er også kompatibel med andre Schottky Gate (SG) GAN HEMT og Silicon MOSFET'er, takket være den ægte differentielle indgang (TDI) funktion, Udgangsstatus for gate-driver styres udelukkende af spændingsforskellen mellem de to indgange, helt uafhængigt af førerens (jord)potentiale, så længe common-mode spændingen er under 150 V (statisk) og 200 V (dynamisk). Dette eliminerer risikoen for falsk udløsning på grund af jordbounce i anvendelser med lav side, samtidig med at 1EDN7113G kan håndtere selv anvendelser i høj side.
Undgå falsk udløsning ved lav eller høj side
Højt common-mode indgangsspændingsområde for drift i høj side
Robust drift ved hurtige omkoblingstransienter
Kompatibel med 3,3 V eller 5 V indgangslogik
Aktiv Miller-klemme med 5 A sink-funktion for at undgå induceret aktivering
Justerbar fødepumpe til negativ forsyningsspænding til slukning
Velegnet til at drive GAN HEMT'er eller Si MOSFET'er
Kvalificeret i henhold til JEDEC til målanvendelser