Infineon N-Kanal, MOSFET, 21 A 700 V Forbedring, 4 Ben, PG-VSON-4, IPL
- RS-varenummer:
- 273-2790
- Producentens varenummer:
- IPL65R099C7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 21,09
(ekskl. moms)
Kr. 26,36
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 88 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 49 | Kr. 21,09 |
| 50 - 99 | Kr. 17,43 |
| 100 - 249 | Kr. 17,13 |
| 250 - 999 | Kr. 16,98 |
| 1000 + | Kr. 16,76 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-2790
- Producentens varenummer:
- IPL65R099C7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Emballagetype | PG-VSON-4 | |
| Serie | IPL | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 99mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 45nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 800mV | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 128W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC (J-STD20 and JESD22) | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Emballagetype PG-VSON-4 | ||
Serie IPL | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 99mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 45nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 800mV | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 128W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC (J-STD20 and JESD22) | ||
Infineon MOSFET er en 650 V CoolMOS C7 seriens effekttransistor. CoolMOS er en revolutionerende teknologi til højspændings-effekt-MOSFET'er, der er designet i overensstemmelse med super junction-princippet og pionerudviklet af Infineon Technologies. CoolMOS C7 serien kombinerer erfaring fra den førende SJ MOSFET-leverandør med innovation i høj klasse. Produktporteføljen giver alle fordelene ved hurtigt skiftende super junction MOSFET'er, der giver bedre effektivitet, reduceret gate-opladning, nem implementering og fremragende pålidelighed.
Blyfri belægning
I overensstemmelse med RoHS
Lavere skiftetab
Forøgelse af effekttæthed
Aktivering af højere frekvens
Halogenfri støbeform
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 21 A 700 V Forbedring PG-VSON-4, IPL
- Infineon N-Kanal 10 A 700 V Forbedring PG-VSON-4, CoolMOS C7
- Infineon N-Kanal 107 A 700 V Forbedring ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 76 A 100 V Forbedring PG-VSON-6, IGC033
- Infineon N-Kanal 21 A 650 V Forbedring ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 76 A 100 V Forbedring PG-VSON-6, CoolGaN
- Infineon Ensretter & Schottky-diode 12 A PG-VSON-4
- Infineon MOSFET 500 mA PG-VSON-10