Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 700 V Forbedring, 4 Ben, PG-VSON-4, IPL

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 44,45

(ekskl. moms)

Kr. 55,56

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 88 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 49Kr. 44,45
50 - 99Kr. 34,48
100 - 249Kr. 31,72
250 - 999Kr. 29,85
1000 +Kr. 25,28

*Vejledende pris

RS-varenummer:
273-2790
Producentens varenummer:
IPL65R099C7AUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

21A

Drain source spænding maks. Vds

700V

Emballagetype

PG-VSON-4

Serie

IPL

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

99mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-40°C

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

128W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

45nC

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

JEDEC (J-STD20 and JESD22)

Infineon MOSFET er en 650 V CoolMOS C7 seriens effekttransistor. CoolMOS er en revolutionerende teknologi til højspændings-effekt-MOSFET'er, der er designet i overensstemmelse med super junction-princippet og pionerudviklet af Infineon Technologies. CoolMOS C7 serien kombinerer erfaring fra den førende SJ MOSFET-leverandør med innovation i høj klasse. Produktporteføljen giver alle fordelene ved hurtigt skiftende super junction MOSFET'er, der giver bedre effektivitet, reduceret gate-opladning, nem implementering og fremragende pålidelighed.

Blyfri belægning

I overensstemmelse med RoHS

Lavere skiftetab

Forøgelse af effekttæthed

Aktivering af højere frekvens

Halogenfri støbeform

Relaterede links