Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 700 V Forbedring, 4 Ben, PG-VSON-4, IPL
- RS-varenummer:
- 273-2789
- Producentens varenummer:
- IPL65R099C7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 55.203,00
(ekskl. moms)
Kr. 69.003,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 18,401 | Kr. 55.203,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-2789
- Producentens varenummer:
- IPL65R099C7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Serie | IPL | |
| Emballagetype | PG-VSON-4 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 99mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 45nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 128W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC (J-STD20 and JESD22) | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Serie IPL | ||
Emballagetype PG-VSON-4 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 99mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 45nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 128W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC (J-STD20 and JESD22) | ||
Infineon MOSFET er en 650 V CoolMOS C7 seriens effekttransistor. CoolMOS er en revolutionerende teknologi til højspændings-effekt-MOSFET'er, der er designet i overensstemmelse med super junction-princippet og pionerudviklet af Infineon Technologies. CoolMOS C7 serien kombinerer erfaring fra den førende SJ MOSFET-leverandør med innovation i høj klasse. Produktporteføljen giver alle fordelene ved hurtigt skiftende super junction MOSFET'er, der giver bedre effektivitet, reduceret gate-opladning, nem implementering og fremragende pålidelighed.
Blyfri belægning
I overensstemmelse med RoHS
Lavere skiftetab
Forøgelse af effekttæthed
Aktivering af højere frekvens
Halogenfri støbeform
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 21 A 700 V Forbedring PG-VSON-4, IPL
- Infineon Type N-Kanal 10 A 700 V Forbedring PG-VSON-4, CoolMOS C7
- Infineon Type P-Kanal 76 A 100 V Forbedring PG-VSON-6, IGC033
- Infineon Type N-Kanal 107 A 700 V Forbedring ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 21 A 650 V Forbedring ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 76 A 100 V Forbedring PG-VSON-6, CoolGaN
- Infineon Ensretter & Schottky-diode 12 A PG-VSON-4
- Infineon Ensretter & Schottky-diode 8 A, 5 Ben PG-VSON-4