Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 76 A 100 V Forbedring, 6 Ben, PG-VSON-6, IGC033
- RS-varenummer:
- 351-971
- Producentens varenummer:
- IGC033S10S1XTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 62,08
(ekskl. moms)
Kr. 77,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 4.860 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 31,04 | Kr. 62,08 |
| 20 - 198 | Kr. 28,015 | Kr. 56,03 |
| 200 - 998 | Kr. 25,77 | Kr. 51,54 |
| 1000 - 1998 | Kr. 23,975 | Kr. 47,95 |
| 2000 + | Kr. 21,47 | Kr. 42,94 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 351-971
- Producentens varenummer:
- IGC033S10S1XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 76A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | PG-VSON-6 | |
| Serie | IGC033 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 45W | |
| Portkildespænding maks. | 5.5V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 3.1mm | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 76A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype PG-VSON-6 | ||
Serie IGC033 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 45W | ||
Portkildespænding maks. 5.5V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 3.1mm | ||
Standarder/godkendelser JEDEC | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon IGC033 seriens MOSFET, 100 V drain source-spænding, 76 A kontinuerlig drain-strøm - IGC033S10S1XTMA1
Denne MOSFET er en P-kanal-forbedringsenhed, der er designet til omskiftning med høj strømstyrke i overflademonteret elektronik. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til krævende termiske miljøer, samtidig med at den giver ledning med lav modstand til strømstyring og konverteringsopgaver.
Egenskaber og fordele:
• 3,3 mΩ drain-source-modstand for minimalt ledningstab
• 76 A kontinuerlig afløbsstrøm, der muliggør omskiftning under kraftig belastning
• 100 V mærkeværdi for drain-source til højspændingsanvendelser
• 11 nC typisk gate-ladning for hurtigere skifteovergange
• 45 W maks. effekttab understøtter høje belastninger
• 5,5 V maksimal gate-source-tolerance for lavspændingsdrevkompatibilitet
• 76 A kontinuerlig afløbsstrøm, der muliggør omskiftning under kraftig belastning
• 100 V mærkeværdi for drain-source til højspændingsanvendelser
• 11 nC typisk gate-ladning for hurtigere skifteovergange
• 45 W maks. effekttab understøtter høje belastninger
• 5,5 V maksimal gate-source-tolerance for lavspændingsdrevkompatibilitet
Anvendelser
• Velegnet til synkrone buck-omformere i strømforsyninger
• Ideel til motordrevstrin, der kræver høj strøm
• Anvendes til skift af højspændingsbelastning i industrielle systemer
• Kan bruges til server- og telekommunikationsstrømfordeling
• Velegnet til kompakte strømmoduler til overflademontering
• Ideel til motordrevstrin, der kræver høj strøm
• Anvendes til skift af højspændingsbelastning i industrielle systemer
• Kan bruges til server- og telekommunikationsstrømfordeling
• Velegnet til kompakte strømmoduler til overflademontering
Hvilken pakketype skal jeg planlægge for på mit kort?
Den leveres i en PG-VSON-6-pakke til overflademontering, der kræver et 6-benet fodaftryk og termiske puder for at sprede varme.
Hvordan påvirker temperaturområdet valg af implementering?
Med et driftsområde fra -40 til 150 °C kan den placeres i miljøer med bred termisk variation, selvom layouten skal sikre tilstrækkelig termisk ledning til at forblive inden for tabsgrænser.
Hvilke gate-drive-niveauer er acceptable til omskiftning?
Driftsspændingerne må ikke overstige 5,5 V mellem gate og kilde
typiske lavspændings gate-driverkredsløb er passende i betragtning af den beskedne gate-ladning.
Er der specifikke overvejelser for styring af effekttab?
Maksimalt 45 W kræver et tilstrækkeligt kobberareal eller varmeafledere på printkortet og hensyntagen til driftscyklussen for at forhindre overophedning af samlingen.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 76 A 100 V Forbedring PG-VSON-6, IGC033
- Infineon Type P-Kanal 76 A 100 V Forbedring PG-VSON-6, CoolGaN
- Infineon Type P-Kanal 76 A 100 V Forbedring PG-TSON-6-2, CoolGaN
- Infineon N-Kanal 21 A 700 V Forbedring PG-VSON-4, IPL
- Infineon N-Kanal 10 A 700 V Forbedring PG-VSON-4, CoolMOS C7
- Infineon AEC-Q100 7 Ben, PG-VSON-6
- Infineon MOSFET 500 mA PG-VSON-10
- Infineon MOSFET 1 A PG-VSON-10
