Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 76 A 100 V Forbedring, 6 Ben, PG-VSON-6, IGC033 Nej IGC033S10S1XTMA1
- RS-varenummer:
- 351-971
- Producentens varenummer:
- IGC033S10S1XTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 56,70
(ekskl. moms)
Kr. 70,88
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 28,35 | Kr. 56,70 |
| 20 - 198 | Kr. 25,505 | Kr. 51,01 |
| 200 - 998 | Kr. 23,525 | Kr. 47,05 |
| 1000 - 1998 | Kr. 21,805 | Kr. 43,61 |
| 2000 + | Kr. 19,56 | Kr. 39,12 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 351-971
- Producentens varenummer:
- IGC033S10S1XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 76A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | PG-VSON-6 | |
| Serie | IGC033 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 45W | |
| Portkildespænding maks. | 5.5 V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 3.1 mm | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 76A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype PG-VSON-6 | ||
Serie IGC033 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 45W | ||
Portkildespænding maks. 5.5 V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 3.1 mm | ||
Standarder/godkendelser JEDEC | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineons CoolGaN-transistor er en normalt slukket e-mode-effekttransistor i en lille PQFN 3x5-pakke, der muliggør design med høj effekttæthed. Med sin lave on-state modstand er den det ideelle valg til pålidelig ydelse i krævende højspændings- og højstrømsapplikationer.
Klassens bedste effekttæthed
Højeste effektivitet
Forbedret termisk styring
Muliggør mindre og lettere design
Fremragende pålidelighed
Sænkning af BOM-omkostninger
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 76 A 100 V PG-VSON-6, IGC033 IGC033S101XTMA1
- Infineon P-Kanal 76 A 100 V PG-VSON-6, COOLGAN IGC033S101
- Infineon P-Kanal 5 PG-TSOP-6-1 BSL307SPH6327XTSA1
- TLE4972AE35S5XUMA1 7 ben, PG-VSON-6
- AEC-Q100 TLE4972AE35S5XUMA1 7 ben, PG-VSON-6
- Infineon IDL02G65C5XUMA2 Ensretter & Schottky-diode 2A PG-VSON-4
- Infineon IDL12G65C5XUMA2 Ensretter & Schottky-diode 12A PG-VSON-4
- Infineon IDL04G65C5XUMA2 Ensretter & Schottky-diode 4A PG-VSON-4
