Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 10 A 700 V Forbedring, 4 Ben, PG-VSON-4, CoolMOS C7
- RS-varenummer:
- 273-5350
- Producentens varenummer:
- IPL65R230C7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 33,05
(ekskl. moms)
Kr. 41,312
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 80 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | Kr. 16,525 | Kr. 33,05 |
| 50 - 98 | Kr. 13,765 | Kr. 27,53 |
| 100 - 248 | Kr. 12,755 | Kr. 25,51 |
| 250 - 998 | Kr. 11,78 | Kr. 23,56 |
| 1000 + | Kr. 11,52 | Kr. 23,04 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-5350
- Producentens varenummer:
- IPL65R230C7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Emballagetype | PG-VSON-4 | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.23Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 67W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 20nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC(J-STD20 andJESD22) | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Emballagetype PG-VSON-4 | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.23Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 67W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC(J-STD20 andJESD22) | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Power MOSFET er konstrueret med CoolMOSTM revolutionerende teknologi til højspændings effekt MOSFET'er. Den er designet efter superjunction-princippet og pioneret af Infineon Technologies. CoolMOSTM C7 serien kombinerer erfaring fra den førende SJ MOSFET-leverandør med innovation i høj klasse. Produktporteføljen giver alle fordelene ved hurtigt skiftende super junction MOSFET'er, der giver bedre effektivitet, reduceret gate-opladning, nem implementering og fremragende pålidelighed.
Halogenfri
Bedre effektivitet
Blyfri blybelægning
Høj effekttæthed
Bedre styring af porten
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 10 A 700 V Forbedring PG-VSON-4, CoolMOS C7 Nej IPL65R230C7AUMA1
- Infineon Type N-Kanal 21 A 700 V Forbedring PG-VSON-4, IPL
- Infineon Type N-Kanal 20 A 600 V Forbedring VSON, CoolMOS C7 Nej
- Infineon Type N-Kanal 15 A 650 V Forbedring VSON, CoolMOS C7 Nej
- Infineon Type N-Kanal 21 A 700 V Forbedring PG-VSON-4, IPL IPL65R099C7AUMA1
- Infineon Type N-Kanal 15 A 650 V Forbedring VSON, CoolMOS C7 Nej IPL65R130C7AUMA1
- Infineon Type N-Kanal 20 A 600 V Forbedring VSON, CoolMOS C7 Nej IPL60R104C7AUMA1
- Infineon Type N-Kanal 46 A 700 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7 Nej
