Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 15 A 650 V Forbedring, 5 Ben, VSON, CoolMOS C7 Nej IPL65R130C7AUMA1
- RS-varenummer:
- 214-9079
- Producentens varenummer:
- IPL65R130C7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 152,55
(ekskl. moms)
Kr. 190,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 30,51 | Kr. 152,55 |
| 10 - 20 | Kr. 27,168 | Kr. 135,84 |
| 25 - 45 | Kr. 25,328 | Kr. 126,64 |
| 50 - 120 | Kr. 23,502 | Kr. 117,51 |
| 125 + | Kr. 21,662 | Kr. 108,31 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9079
- Producentens varenummer:
- IPL65R130C7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 15A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | VSON | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 130mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 102W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 35nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 8.1 mm | |
| Længde | 8.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 15A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype VSON | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 130mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 102W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 35nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 8.1 mm | ||
Længde 8.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og er udviklet af Infineon Technologies. CoolMOS C7 serien kombinerer oplevelsen fra den førende SJ MOSFET leverandør med innovation i høj klasse. Produktporteføljen giver alle fordele ved hurtigt skiftende superjunction MOSFET'er, der giver bedre effektivitet, reduceret gate-opladning, nem implementering og enestående pålidelighed.
Let at bruge/køre på grund af driver-kildestiften for bedre kontrol af lågen
Kvalificeret til industrielle anvendelser i henhold til JEDEC (J-STD20 OG JESD22)
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 15 A 650 V ThinkPAK 8 x 8, CoolMOS™ C7 IPL65R130C7AUMA1
- Infineon N-Kanal 20 A 600 V ThinkPAK 8 x 8, CoolMOS™ C7 IPL60R104C7AUMA1
- Infineon N-Kanal 13 A 650 V ThinkPAK 8 x 8, CoolMOS™ IPL60R185C7AUMA1
- Infineon N-Kanal 23 A 650 V HSOF-8, CoolMOS™ C7 IPT60R150G7XTMA1
- Infineon N-Kanal 97 A 650 V ThinkPAK 8 x 8, CoolMOS™ IPL60R095CFD7AUMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 650 V ThinkPAK 8 x 8, CoolMOS™ P7 IPL60R105P7AUMA1
- Infineon N-Kanal 151 A 650 V ThinkPAK 8 x 8, CoolMOS™ P7 IPL60R065P7AUMA1
- Infineon N-Kanal 12 A 650 V ThinPAK 8 x 8, CoolMOS™ C7 IPL65R195C7AUMA1
