Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C7
- RS-varenummer:
- 214-9119
- Producentens varenummer:
- IPW65R125C7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 188,60
(ekskl. moms)
Kr. 235,75
(inkl. moms)
Tilføj 15 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 240 enhed(er) afsendes fra 19. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 37,72 | Kr. 188,60 |
| 25 - 45 | Kr. 35,844 | Kr. 179,22 |
| 50 - 120 | Kr. 32,254 | Kr. 161,27 |
| 125 + | Kr. 32,06 | Kr. 160,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9119
- Producentens varenummer:
- IPW65R125C7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 125mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 35nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 101W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Højde | 21.1mm | |
| Bredde | 5.21 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 16.13mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 125mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 35nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 101W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Højde 21.1mm | ||
Bredde 5.21 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 16.13mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS C7 er en revolutionerende teknologi til højspændings effekt MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og udviklet af Infineon Technologies. CoolMOS C7 serien kombinerer oplevelsen fra den førende SJ MOSFET leverandør med innovation i høj klasse. Produktporteføljen giver alle fordele ved hurtigt skiftende superjunction MOSFET'er, der giver bedre effektivitet, reduceret gate-opladning, nem implementering og enestående pålidelighed.
Nem at bruge/køre
Kvalificeret til industrielle anvendelser i henhold til JEDEC (J-STD20 OG JESD22)
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 18 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 15 A 650 V Forbedring VSON, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 46 A 700 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 75 A 700 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 13 A 700 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 37 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 46 A 700 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7