Infineon N-Kanal, MOSFET, 13 A 650 V Forbedring, 4 Ben, VSON, CoolMOS

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (5 enheder, i en pakke med 5)*

Kr. 143,54

(ekskl. moms)

Kr. 179,42

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 20Kr. 28,708Kr. 143,54
25 - 45Kr. 24,968Kr. 124,84
50 - 120Kr. 23,248Kr. 116,24
125 - 245Kr. 21,796Kr. 108,98
250 +Kr. 20,092Kr. 100,46

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4683
Producentens varenummer:
IPL60R185C7AUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

13A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

VSON

Serie

CoolMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

185mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

900mV

Min. driftstemperatur

-40°C

Portkildespænding maks.

20V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

24nC

Effektafsættelse maks. Pd

77W

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.1mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

8.1mm

Bredde

8.1mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-designet af MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.

Grønt produkt (RoHS kompatibel)

MSL1 op til 260 °C peak reflow AEC Q101

OptiMOS™-Power MOSFET til brug i biler

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.