Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 13 A 650 V Forbedring, 4 Ben, VSON, CoolMOS
- RS-varenummer:
- 222-4683
- Producentens varenummer:
- IPL60R185C7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 93,35
(ekskl. moms)
Kr. 116,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 18,67 | Kr. 93,35 |
| 25 - 45 | Kr. 16,246 | Kr. 81,23 |
| 50 - 120 | Kr. 15,11 | Kr. 75,55 |
| 125 - 245 | Kr. 14,182 | Kr. 70,91 |
| 250 + | Kr. 13,076 | Kr. 65,38 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4683
- Producentens varenummer:
- IPL60R185C7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Emballagetype | VSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 185mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 77W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.1mm | |
| Længde | 8.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Emballagetype VSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 185mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 77W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.1mm | ||
Længde 8.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon-designet af MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Grønt produkt (RoHS kompatibel)
MSL1 op til 260 °C peak reflow AEC Q101
OptiMOS™-Power MOSFET til brug i biler
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 13 A 650 V Forbedring VSON, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 15 A 650 V Forbedring VSON, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 97 A 650 V Forbedring VSON, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 100 A 650 V Forbedring VSON, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 151 A 650 V Forbedring VSON, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 20 A 600 V Forbedring VSON, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 19.2 A 600 V Forbedring VSON, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 22.4 A 600 V Forbedring VSON, CoolMOS P6