Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 13 A 650 V Forbedring, 4 Ben, VSON, CoolMOS Nej IPL60R185C7AUMA1
- RS-varenummer:
- 222-4683
- Producentens varenummer:
- IPL60R185C7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 113,25
(ekskl. moms)
Kr. 141,55
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 22,65 | Kr. 113,25 |
| 25 - 45 | Kr. 19,702 | Kr. 98,51 |
| 50 - 120 | Kr. 18,34 | Kr. 91,70 |
| 125 - 245 | Kr. 17,218 | Kr. 86,09 |
| 250 + | Kr. 15,872 | Kr. 79,36 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4683
- Producentens varenummer:
- IPL60R185C7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Emballagetype | VSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 185mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 77W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bredde | 8.1 mm | |
| Længde | 8.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Emballagetype VSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 185mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 77W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.1mm | ||
Bredde 8.1 mm | ||
Længde 8.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon-designet af MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Grønt produkt (RoHS kompatibel)
MSL1 op til 260 °C peak reflow AEC Q101
OptiMOS™-Power MOSFET til brug i biler
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 13 A 650 V ThinkPAK 8 x 8, CoolMOS™ IPL60R185C7AUMA1
- Infineon N-Kanal 15 A 650 V ThinkPAK 8 x 8, CoolMOS™ C7 IPL65R130C7AUMA1
- Infineon N-Kanal 97 A 650 V ThinkPAK 8 x 8, CoolMOS™ IPL60R095CFD7AUMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 650 V ThinkPAK 8 x 8, CoolMOS™ P7 IPL60R105P7AUMA1
- Infineon N-Kanal 151 A 650 V ThinkPAK 8 x 8, CoolMOS™ P7 IPL60R065P7AUMA1
- Infineon N-Kanal 16 A 600 V ThinkPAK 8 x 8, CoolMOS™ CFD7 IPL60R160CFD7AUMA1
- Infineon N-Kanal 19 5 ben CoolMOS™ P6 IPL60R210P6AUMA1
- Infineon N-Kanal 22 5 ben CoolMOS™ P6 IPL60R180P6AUMA1
