Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 19.2 A 600 V Forbedring, 5 Ben, VSON, CoolMOS P6 Nej IPL60R210P6AUMA1
- RS-varenummer:
- 214-9076
- Producentens varenummer:
- IPL60R210P6AUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 101,08
(ekskl. moms)
Kr. 126,35
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.980 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 20,216 | Kr. 101,08 |
| 25 - 45 | Kr. 17,592 | Kr. 87,96 |
| 50 - 120 | Kr. 16,59 | Kr. 82,95 |
| 125 - 245 | Kr. 15,364 | Kr. 76,82 |
| 250 + | Kr. 14,152 | Kr. 70,76 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9076
- Producentens varenummer:
- IPL60R210P6AUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 19.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | VSON | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 210mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 37nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 151W | |
| Bredde | 8.1 mm | |
| Længde | 8.1mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 19.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype VSON | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 210mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 151W | ||
Bredde 8.1 mm | ||
Længde 8.1mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
600V CoolMOSaP6 strømtransistor
Infineons CoolMOSTM P6 superjunction MOSFET-serie er designet til at muliggøre højere systemets effektivitet, samtidig med at den er let at designe. CoolMOSTM P6 lukker kløften mellem teknologier, der fokuserer på at levere ultimativ ydeevne, og dem, der fokuserer mere på brugervenlighed.
Oversigt over funktioner
Fordele
Potentielle applikationer
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 19 5 ben CoolMOS™ P6 IPL60R210P6AUMA1
- Infineon N-Kanal 22 5 ben CoolMOS™ P6 IPL60R180P6AUMA1
- Infineon N-Kanal 13 A 650 V ThinkPAK 8 x 8, CoolMOS™ IPL60R185C7AUMA1
- Infineon N-Kanal 15 A 650 V ThinkPAK 8 x 8, CoolMOS™ C7 IPL65R130C7AUMA1
- Infineon N-Kanal 16 A 600 V ThinkPAK 8 x 8, CoolMOS™ CFD7 IPL60R160CFD7AUMA1
- Infineon N-Kanal 20 A 600 V ThinkPAK 8 x 8, CoolMOS™ C7 IPL60R104C7AUMA1
- Infineon N-Kanal 97 A 650 V ThinkPAK 8 x 8, CoolMOS™ IPL60R095CFD7AUMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 650 V ThinkPAK 8 x 8, CoolMOS™ P7 IPL60R105P7AUMA1
