Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 19.2 A 600 V Forbedring, 5 Ben, VSON, CoolMOS P6 Nej

RS-varenummer:: 214-9075
Producentens varenummer:: IPL60R210P6AUMA1
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 19.2 A 600 V Forbedring, 5 Ben, VSON, CoolMOS P6 Nej

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 20.208,00

(ekskl. moms)

Kr. 25.260,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 07. januar 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 6,736	Kr. 20.208,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 214-9075
Producentens varenummer:: IPL60R210P6AUMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	19.2A
	Drain source spænding maks. Vds	600V
	Serie	CoolMOS P6
	Emballagetype	VSON
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	5
	Drain source modstand maks. Rds	210mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	151W
	Gennemgangsspænding Vf	0.9V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	37nC
	Min. driftstemperatur	-40°C
	Højde	1.1mm
	Længde	8.1mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	8.1 mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 19.2A
	Drain source spænding maks. Vds 600V
	Serie CoolMOS P6
	Emballagetype VSON
	Monteringstype Overflade
	Benantal 5
	Drain source modstand maks. Rds 210mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 151W
	Gennemgangsspænding Vf 0.9V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37nC
	Min. driftstemperatur -40°C
	Højde 1.1mm
	Længde 8.1mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 8.1 mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - IPL60R210P6AUMA1

600V CoolMOSaP6 strømtransistor

Infineons CoolMOSTM P6 superjunction MOSFET-serie er designet til at muliggøre højere systemets effektivitet, samtidig med at den er let at designe. CoolMOSTM P6 lukker kløften mellem teknologier, der fokuserer på at levere ultimativ ydeevne, og dem, der fokuserer mere på brugervenlighed.

Oversigt over funktioner

Nedsat portebelastning (Q g)

Højere V th

God kropsdiode-stivhed

Optimeret integreret R g

Forbedret dv/dt fra 50V/ns

CoolMOSTM-kvalitet med over 12 års produktionserfaring inden for superjunction-teknologi

Fordele

Forbedret effektivitet, især ved let belastning

Bedre effektivitet i soft switching-anvendelser på grund af tidligere slukning

Velegnet til topologier med hårdt og blødt skifte

Optimeret balance mellem effektivitet og brugervenlighed og god styring af skifteadfærd

Høj robusthed og bedre effektivitet

Fremragende kvalitet og pålidelighed

Potentielle applikationer

PFC-stadier til server, telekommunikationsrettere, PC silverbox, spillekonsoller

PWM-stadier (TTF, LLC) til server, telekommunikationsrettere, PC silverbox, spillekonsoller