Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 76 A 100 V Forbedring, 6 Ben, PG-VSON-6, IGC033

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 62,08

(ekskl. moms)

Kr. 77,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.950 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 31,04Kr. 62,08
20 - 198Kr. 28,015Kr. 56,03
200 - 998Kr. 25,77Kr. 51,54
1000 - 1998Kr. 23,975Kr. 47,95
2000 +Kr. 21,47Kr. 42,94

*Vejledende pris

RS-varenummer:
351-970
Producentens varenummer:
IGC033S101XTMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

76A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

IGC033

Emballagetype

PG-VSON-6

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

3.3mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

5.5V

Effektafsættelse maks. Pd

45W

Min. driftstemperatur

-40°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

JEDEC

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MY

Infineon IGC033 seriens MOSFET, 100 V drain source-spænding, 76 A kontinuerlig drain-strøm - IGC033S101XTMA1


Denne MOSFET er en P-kanalforbedringsenhed, der er beregnet til effektkobling i overflademonterede konstruktioner. Den fungerer over et bredt termisk område og er i overensstemmelse med JEDEC, hvilket gør den velegnet til anvendelser med høj strømstyrke, hvor integrering af kompakte kabinetter er påkrævet.

Egenskaber og fordele:


• Meget lav Rds(on) på 3,3 mΩ for reducerede ledningstab
• Kan håndtere kontinuerlig afløbsstrøm på 76 A til tunge belastninger
• 100 V drain‐source mærkeværdi til højspændingsswitching
• 45 W maks. effekttab for termisk hovedrum
• Typisk gateopladning 11 nC, der muliggør effektivt gate-drev
• PG-VSON-6-pakke til overflademontering for pladsbesparende layout

Anvendelser


• Velegnet til synkron ensretning i strømforsyninger
• Ideel til DC/DC-omformningsfaser med høj strømstyrke
• Anvendes sammen med motorstyringer, der kræver kompakte kontakter
• Kan bruges til server- og telekommunikationsstrømfordeling
• Kompatibel med batteristyringssystemer i industrielt udstyr

Hvilke hensyn skal jeg tillade til gate-driver i konstruktioner?


Enheden har en typisk gate-ladning på 11 nC, så gate-drivere skal levere tilstrækkelig spidsstrøm for at opnå den krævede skiftehastighed, mens de styrer dV/dt for at begrænse EMI.

Hvordan påvirker den termiske ydeevne printkortlayout?


Med et 45 W effekttab i loftet, termiske vias og en kobbervarmespredning anbefales det til styring af forbindelsestemperatur, især ved høje kontinuerlige strømme.

Hvilke spændings- og polaritetsbegrænsninger gælder for porten?


Den maksimale gate-to-source-mærkespænding er 5,5 V, så gate-drev må ikke overstige denne differentiel for at undgå enhedsbelastning.

Er der miljøbegrænsninger for implementering?


Enheden er normeret til drift fra -40 °C op til 150 °C, så valg af komponenter og termisk design bør passe til dette område for pålidelig drift.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.