Infineon Gate-driver, Gate-driver-modul, 600 mA, 8 Ben 20V, SOIC-8
- RS-varenummer:
- 257-5586
- Producentens varenummer:
- IRS2108SPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rør af 95 enheder)*
Kr. 583,30
(ekskl. moms)
Kr. 729,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.610 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 95 + | Kr. 6,14 | Kr. 583,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-5586
- Producentens varenummer:
- IRS2108SPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Gate-driver-modul | |
| Udgangsstrøm | 600mA | |
| Benantal | 8 | |
| Emballagetype | SOIC-8 | |
| Faldtid | 35ns | |
| Driver-type | Gate-driver | |
| Forsyningsspænding min. | 10V | |
| Forsyningsspænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Gate-driver-modul | ||
Udgangsstrøm 600mA | ||
Benantal 8 | ||
Emballagetype SOIC-8 | ||
Faldtid 35ns | ||
Driver-type Gate-driver | ||
Forsyningsspænding min. 10V | ||
Forsyningsspænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon halvbro-drivere er højspændings, højhastigheds effekt MOSFET- og IGBT-drivere med afhængige høj- og lav-side referencerede udgangskanaler. Egne HVIC- og låseimmune CMOS-teknologier muliggør robust monolitisk konstruktion. Logikindgangen er kompatibel med standard CMOS- eller LSTTL-udgang, ned til 3,3 V logik. Udgangsdrivere har et buffertrin med høj impulsstrøm, der er designet til minimal driverkredsledning. Den flydende kanal kan bruges til at drive en N-kanal effekt MOSFET eller IGBT i high-side konfiguration, der fungerer op til 600 V.
Tolerant over for negativ transientspænding, dV/dt-immun
Gate-drev forsyningsområde fra 10 V til 20 V
Underspændingsspærring for begge kanaler
Kompatibel med 33 V, 5 V og 15 V logisk indgang
Logik til forebyggelse af krydseledning
Matchende udbredelsesforsinkelse for begge kanaler
High-side udgang i fase med HIN-indgang
Lav-side udgang ud af fase med LIN-indgang
Logik- og strømjording +/- 5 V forskydning