Infineon Gate-driver, Gate-driver 2, 290 mA, 8 Ben 20V, DSO-8
- RS-varenummer:
- 258-0606
- Producentens varenummer:
- 2ED21091S06FXUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 17,95
(ekskl. moms)
Kr. 22,44
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.406 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 8,975 | Kr. 17,95 |
| 20 - 48 | Kr. 8,45 | Kr. 16,90 |
| 50 - 98 | Kr. 7,93 | Kr. 15,86 |
| 100 - 198 | Kr. 7,37 | Kr. 14,74 |
| 200 + | Kr. 6,88 | Kr. 13,76 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-0606
- Producentens varenummer:
- 2ED21091S06FXUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Gate-driver | |
| Udgangsstrøm | 290mA | |
| Benantal | 8 | |
| Faldtid | 35ns | |
| Emballagetype | DSO-8 | |
| Driver-type | Gate-driver | |
| Stigetid | 100ns | |
| Forsyningsspænding min. | 10V | |
| Antal drivere | 2 | |
| Forsyningsspænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Serie | 2ED21091S6F | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Gate-driver | ||
Udgangsstrøm 290mA | ||
Benantal 8 | ||
Faldtid 35ns | ||
Emballagetype DSO-8 | ||
Driver-type Gate-driver | ||
Stigetid 100ns | ||
Forsyningsspænding min. 10V | ||
Antal drivere 2 | ||
Forsyningsspænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Serie 2ED21091S6F | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 650 V halvbro højhastigheds effekt MOSFET og IGBT gate driver med typisk 0,29 kildestrøm og 0,7 sinkstrøm i DSO-8 hus. Baseret på Infineon SOI-teknologi, der har fremragende robusthed og støjimmunitet mod negative transientspændinger på VS-ben. Ingen parasitiske tyristorstrukturer er til stede i enheden, derfor ingen parasitisk låsning ved alle temperaturer og spændingsforhold.
Integreret ultrahurtig bootstrap-diode med lav modstand, reducerer BOM-omkostningerne
Flydende kanal designet til bootstrap-drift
Uafhængig underspændingsspærring for begge kanaler
DT/SD-indgangen med dobbeltfunktion slukker for begge kanaler