Infineon 2ED21094S06JXUMA1, Gate-driver-modul, 290 mA, 10 → 20V, 14 Ben, DSO

Infineons halvbro gate-driver er en højspændings, højhastigheds effekt MOSFET og IGBT-driver med uafhængige udgangskanaler med høj og lav side. Baseret på Infineons SOI-teknologi er der en fremragende robusthed og støjimmunitet med mulighed for at opretholde driftslogik ved negative spændinger på op til -11 V på VS-ben på transientspændinger. Der er ingen parasitiske thyristorstrukturer til stede i enheden, derfor kan der ikke forekomme parasitisk lås op under alle temperatur- og spændingsforhold.

Maksimal forsyningsspænding på 25 V
Dobbelt husmuligheder for DSO-8 og DSO-14
Høj- og lavspændingsben adskilt for maksimal krybealder og afstand
Separat logik og strømforbindelse med 2ED21094S06J version
Nedlukningsindgang slukker for begge kanaler