Infineon MOSFET, Gate-driver, 20 A, 25 Ben 16V, PQFN
- RS-varenummer:
- 258-4042
- Producentens varenummer:
- TDA21520AUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 40,02
(ekskl. moms)
Kr. 50,02
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 02. juni 2028
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 20,01 | Kr. 40,02 |
| 20 - 48 | Kr. 17,655 | Kr. 35,31 |
| 50 - 98 | Kr. 16,42 | Kr. 32,84 |
| 100 - 198 | Kr. 15,22 | Kr. 30,44 |
| 200 + | Kr. 13,99 | Kr. 27,98 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-4042
- Producentens varenummer:
- TDA21520AUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Gate-driver | |
| Udgangsstrøm | 20A | |
| Benantal | 25 | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Driver-type | MOSFET | |
| Forsyningsspænding min. | 4.25V | |
| Forsyningsspænding maks. | 16V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Bredde | 5mm | |
| Serie | TDA21520 | |
| Længde | 4mm | |
| Højde | 0.9mm | |
| Standarder/godkendelser | Lead free RoHS package | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Gate-driver | ||
Udgangsstrøm 20A | ||
Benantal 25 | ||
Emballagetype PQFN | ||
Driver-type MOSFET | ||
Forsyningsspænding min. 4.25V | ||
Forsyningsspænding maks. 16V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Bredde 5mm | ||
Serie TDA21520 | ||
Længde 4mm | ||
Højde 0.9mm | ||
Standarder/godkendelser Lead free RoHS package | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS strømtrin er en integreret strømtrin, der indeholder en synkron buck gate-driver-IC med lav hvilestrøm, som er samlet med styrings- og synkron MOSFET'er sammen med en aktiv diodestruktur, der opnår lav Vsd svarende til en Schottky med meget lille omvendt genoprettelsesladning. Huset er optimeret til printkortlayout, varmeoverførsel, driver/MOSFET-styringstimering og minimal kontaktnode ringing, når layoutretningslinjerne følges. Den parrede gate-driver og MOSFET-kombination muliggør højere effektivitet ved lavere udgangsspændinger. Den interne MOSFET-registrering opnår fremragende strømregistreringsnøjagtighed i forhold til de bedste i klassen kontrollerbaserede induktor DCR-registreringsmetoder.
High-side MOSFET kortslutningsdetektering og flag
Termisk nedlukning
Cyklus-for-cyklus beskyttelse mod overstrøm og fejlflag
Automatisk dvale- og dyb dvaletilstand for strømbesparelse
Kompatibel med 3,3 V tristat PWM-indgang
Nøjagtig strømrapportering for at forbedre ydeevnen på systemniveau
Overvågning af strøm- og temperaturfejl for et mere robust system