Infineon Gate-driver, Gate-driver-modul 2, 5 A, 10 Ben 17V, VSON
- RS-varenummer:
- 260-1068
- Producentens varenummer:
- 2EDL8123G3CXTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 51,99
(ekskl. moms)
Kr. 64,99
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 17. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 10,398 | Kr. 51,99 |
| 50 - 120 | Kr. 8,946 | Kr. 44,73 |
| 125 - 245 | Kr. 8,318 | Kr. 41,59 |
| 250 - 495 | Kr. 7,704 | Kr. 38,52 |
| 500 + | Kr. 7,18 | Kr. 35,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 260-1068
- Producentens varenummer:
- 2EDL8123G3CXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Gate-driver-modul | |
| Udgangsstrøm | 5A | |
| Benantal | 10 | |
| Faldtid | 6ns | |
| Emballagetype | VSON | |
| Driver-type | Gate-driver | |
| Forsyningsspænding min. | 17V | |
| Antal drivere | 2 | |
| Forsyningsspænding maks. | 17V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Gate-driver-modul | ||
Udgangsstrøm 5A | ||
Benantal 10 | ||
Faldtid 6ns | ||
Emballagetype VSON | ||
Driver-type Gate-driver | ||
Forsyningsspænding min. 17V | ||
Antal drivere 2 | ||
Forsyningsspænding maks. 17V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon gate-driveren er en high-side- og low-side-driver, der er designet til avancerede switching-konvertere som f.eks. i telekommunikation og datakommunikation, der kan tage uafhængige indgange med indbygget hysterese for forbedret støjimmunitet.
Høj effekttæthed
Høj effektivitet
Stærk MOSFET-pålidelighed