Infineon MOSFET, MOSFET 1, 3.3 A, 16 Ben 18V, SOIC
- RS-varenummer:
- 260-5923
- Producentens varenummer:
- IR2125SPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rør af 45 enheder)*
Kr. 633,33
(ekskl. moms)
Kr. 791,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.530 enhed(er) afsendes fra 12. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 45 + | Kr. 14,074 | Kr. 633,33 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 260-5923
- Producentens varenummer:
- IR2125SPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Udgangsstrøm | 3.3A | |
| Benantal | 16 | |
| Faldtid | 26ns | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Driver-type | MOSFET | |
| Stigetid | 43ns | |
| Forsyningsspænding min. | 0mV | |
| Forsyningsspænding maks. | 18V | |
| Antal drivere | 1 | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Serie | IR21xx | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Udgangsstrøm 3.3A | ||
Benantal 16 | ||
Faldtid 26ns | ||
Emballagetype SOIC | ||
Driver-type MOSFET | ||
Stigetid 43ns | ||
Forsyningsspænding min. 0mV | ||
Forsyningsspænding maks. 18V | ||
Antal drivere 1 | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Serie IR21xx | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon EiceDRIVER 500 V high side gate driver-IC med typisk 1,6 A kilde- og 3,3 A sinkstrøm i 16-leders SOICWB-hus til IGBTsand MOSFET'er. Beskyttelseskredsløbet registrerer overstrøm i den drevne effekttransistor og begrænser gate-drevspændingen.
Underspændingsspærring
Fuldt funktionsdygtig til +500 V
Udgang i fase med indgang
Strømdetektering og begrænsende sløjfe til begrænsning af strømstyrketransistorstrøm