Infineon MOSFET, MOSFET 1, 3.3 A, 16 Ben 18 V, SOIC
- RS-varenummer:
- 260-5924
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-83-995
- Producentens varenummer:
- IR2125SPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 18,55
(ekskl. moms)
Kr. 23,19
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.567 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 18,55 |
| 10 - 24 | Kr. 16,53 |
| 25 - 49 | Kr. 15,41 |
| 50 - 99 | Kr. 14,29 |
| 100 + | Kr. 13,91 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 260-5924
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-83-995
- Producentens varenummer:
- IR2125SPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Udgangsstrøm | 3.3A | |
| Benantal | 16 | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Faldtid | 26ns | |
| Driver-type | MOSFET | |
| Stigetid | 43ns | |
| Forsyningsspænding min. | 0V | |
| Antal drivere | 1 | |
| Forsyningsspænding maks. | 18V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Serie | IR21xx | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Udgangsstrøm 3.3A | ||
Benantal 16 | ||
Emballagetype SOIC | ||
Faldtid 26ns | ||
Driver-type MOSFET | ||
Stigetid 43ns | ||
Forsyningsspænding min. 0V | ||
Antal drivere 1 | ||
Forsyningsspænding maks. 18V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Serie IR21xx | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon EiceDRIVER 500 V high side gate driver-IC med typisk 1,6 A kilde- og 3,3 A sinkstrøm i 16-leders SOICWB-hus til IGBTsand MOSFET'er. Beskyttelseskredsløbet registrerer overstrøm i den drevne effekttransistor og begrænser gate-drevspændingen.
Underspændingsspærring
Fuldt funktionsdygtig til +500 V
Udgang i fase med indgang
Strømdetektering og begrænsende sløjfe til begrænsning af strømstyrketransistorstrøm