Infineon Gate-driver, Gate-driver-modul 2, 350 mA, 14 Ben 20V, 14LD SOIC
- RS-varenummer:
- 262-6220
- Producentens varenummer:
- IR21084STRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 14.020,00
(ekskl. moms)
Kr. 17.525,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 09. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 5,608 | Kr. 14.020,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 262-6220
- Producentens varenummer:
- IR21084STRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Gate-driver-modul | |
| Udgangsstrøm | 350mA | |
| Benantal | 14 | |
| Emballagetype | 14LD SOIC | |
| Faldtid | 80ns | |
| Driver-type | Gate-driver | |
| Stigetid | 150ns | |
| Forsyningsspænding min. | 20V | |
| Antal drivere | 2 | |
| Forsyningsspænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Gate-driver-modul | ||
Udgangsstrøm 350mA | ||
Benantal 14 | ||
Emballagetype 14LD SOIC | ||
Faldtid 80ns | ||
Driver-type Gate-driver | ||
Stigetid 150ns | ||
Forsyningsspænding min. 20V | ||
Antal drivere 2 | ||
Forsyningsspænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons halvbro gate-driver-IC er en højspændings, højhastigheds effekt MOSFET og IGBT-driver med afhængige udgangskanaler med høj og lav side. Udgangsdrivere har et buffertrin med høj impulsstrøm, der er designet til minimal driverkredsledning. Den flydende kanal kan bruges til at drive en N-kanal strøm MOSFET eller IGBT i den høje sidekonfiguration.
Underspændingsspærring
Matchende udbredelsesforsinkelse for begge kanaler