Renesas Electronics MOSFET, Gate-driver-modul, 3 A, 8 Ben 100V, SOIC
- RS-varenummer:
- 264-0589
- Producentens varenummer:
- HIP2101EIBZ
- Brand:
- Renesas Electronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 69,64
(ekskl. moms)
Kr. 87,04
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 888 enhed(er) afsendes fra 05. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 34,82 | Kr. 69,64 |
| 10 - 48 | Kr. 31,34 | Kr. 62,68 |
| 50 - 98 | Kr. 29,62 | Kr. 59,24 |
| 100 - 248 | Kr. 25,58 | Kr. 51,16 |
| 250 + | Kr. 24,31 | Kr. 48,62 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-0589
- Producentens varenummer:
- HIP2101EIBZ
- Brand:
- Renesas Electronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Renesas Electronics | |
| Produkttype | Gate-driver-modul | |
| Udgangsstrøm | 3A | |
| Benantal | 8 | |
| Faldtid | 10ns | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Driver-type | MOSFET | |
| Stigetid | 10ns | |
| Forsyningsspænding min. | 100V | |
| Forsyningsspænding maks. | 100V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Højde | 1.7mm | |
| Bredde | 3.98mm | |
| Serie | HIP2101 | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Renesas Electronics | ||
Produkttype Gate-driver-modul | ||
Udgangsstrøm 3A | ||
Benantal 8 | ||
Faldtid 10ns | ||
Emballagetype SOIC | ||
Driver-type MOSFET | ||
Stigetid 10ns | ||
Forsyningsspænding min. 100V | ||
Forsyningsspænding maks. 100V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Højde 1.7mm | ||
Bredde 3.98mm | ||
Serie HIP2101 | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Renesas Electronics gate-drivere er en højfrekvent halvbro NMOS FET-driver med en tre-niveau PWM-indgang med en driftsstrømforsyning og integreret high-side bootstrap-bias, den understøtter styring af high-side og low-side NMOS i halvbro-anvendelser.
Programmerbar dødtid forhindrer skydegennemgang
2-vejs konverter