Renesas Electronics MOSFET, Gate-driver-modul, 1.69 mA, 10 Ben 100 V, SOIC

Se alle Gate-drivere
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 rør af 750 enheder)*

Kr. 7.725,00

(ekskl. moms)

Kr. 9.660,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 19. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rør*
750 - 2250Kr. 10,30Kr. 7.725,00
3000 +Kr. 10,007Kr. 7.505,25

*Vejledende pris

RS-varenummer:
264-3549
Producentens varenummer:
HIP2210FRTZ
Brand:
Renesas Electronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Renesas Electronics

Produkttype

Gate-driver-modul

Udgangsstrøm

1.69mA

Benantal

10

Faldtid

790ns

Emballagetype

SOIC

Driver-type

MOSFET

Stigetid

20ns

Forsyningsspænding min.

100V

Forsyningsspænding maks.

100V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

125°C

Højde

1.75mm

Serie

HIP2210

Længde

5mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Renesas Electronics højfrekvente halvbro NMOS FET-drivere. Dette er en tre-niveau PWM-indgang med programmerbar dødtid. Dens brede driftsmæssige forsyningsområde fra 6V til

18V og integreret high-side bootstrap diode understøtter kørsel af high-side og low-side NMOS i 100V halvbro applikationer.

Integreret 0,5 Ω typisk bootstrap-diode

Robust støjtolerance

VDD og boot-underspændingsspærring

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.