STMicroelectronics, IGBT, Type N-Kanal, 14 A 1200 V 15 ns, 3 Ben, TO-263 Overflade
- RS-varenummer:
- 151-940
- Producentens varenummer:
- STGB3NC120HDT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 5 enheder)*
Kr. 76,74
(ekskl. moms)
Kr. 95,925
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 970 enhed(er) afsendes fra 15. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 15,348 | Kr. 76,74 |
| 50 - 95 | Kr. 14,60 | Kr. 73,00 |
| 100 - 495 | Kr. 13,494 | Kr. 67,47 |
| 500 + | Kr. 12,416 | Kr. 62,08 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-940
- Producentens varenummer:
- STGB3NC120HDT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 14A | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 1200V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 75W | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Kanaltype | Type N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 15ns | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2.8V | |
| Portsenderspænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 16mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 14A | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 1200V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 75W | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Kanaltype Type N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 15ns | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2.8V | ||
Portsenderspænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 16mm | ||
Højde 1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics IGBT viser en fremragende balance mellem lave ledningstab og hurtig skifteydelse. Den er designet i Power MESH-teknologi kombineret med højspændings ultrahurtig diode.
Højspændingskapacitet
Høj hastighed
Meget blød ultrahurtig genopretning, anti-parallel diode
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben, TO-263 Overflade
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben, TO-252 Overflade
- onsemi Type N-Kanal 3 Ben, TO-263 Overflade
- STMicroelectronics Diode Skiftende 1200 V 15 A, 3 Ben TO-263
- Infineon Type N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- Infineon Type N-Kanal 4 Ben, TO-247 Hulmontering
- IXYS Type N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- IXYS Type N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering