STGD5NB120SZT4, IGBT, N-Kanal, 10 A 1200 V, 3 ben, DPAK (TO-252) Enkelt
- RS-varenummer:
- 165-5304
- Producentens varenummer:
- STGD5NB120SZT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 17.485,00
(ekskl. moms)
Kr. 21.855,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 5.000 enhed(er) afsendes fra 26. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 6,994 | Kr. 17.485,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-5304
- Producentens varenummer:
- STGD5NB120SZT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 10 A | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 1200 V | |
| Gate emitter spænding maks. | ±20V | |
| Effektafsættelse maks. | 75 W | |
| Kapslingstype | DPAK (TO-252) | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Dimensioner | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Nominel energi | 12.68mJ | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Portkapacitans | 430pF | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 10 A | ||
Kollektor emitter spænding maks. 1200 V | ||
Gate emitter spænding maks. ±20V | ||
Effektafsættelse maks. 75 W | ||
Kapslingstype DPAK (TO-252) | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Dimensioner 6.6 x 6.2 x 2.4mm | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Nominel energi 12.68mJ | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
Portkapacitans 430pF | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
IGBT diskrete, ST Microelectronics
IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Relaterede links
- STGD5NB120SZT4 N-Kanal 3 ben, DPAK (TO-252) Enkelt
- STGD5H60DF N-Kanal 3 ben, DPAK (TO-252) Enkelt
- IRG4RC10UDPBF N-Kanal5 A 600 V DPAK (TO-252) Enkelt
- ISL9V2040D3ST N-Kanal 3 ben, DPAK (TO-252) Enkelt
- STGD19N40LZ N-Kanal 3 ben, DPAK (TO-252) Enkelt
- STGD18N40LZT4 N-Kanal 3 ben, DPAK (TO-252) Enkelt
- ISL9V3040D3ST N-Kanal 3 ben, DPAK (TO-252) Enkelt
- FGD3040G2-F085 N-Kanal 3 ben, DPAK (TO-252) Enkelt