IXYS, IGBT, Type N-Kanal, 50 A 1200 V 160 ns, 3 Ben, TO-268 Hulmontering

Indhold (1 enhed)*

Kr. 137,10

(ekskl. moms)

Kr. 171,38

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 288 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 137,10

*Vejledende pris

RS-varenummer:
192-635
Elfa Distrelec varenummer:
302-53-420
Producentens varenummer:
IXGT30N120B3D1
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

IGBT

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

50A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1200V

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Emballagetype

TO-268

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

160ns

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

3.5V

Portsenderspænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Serie

Mid-Frequency

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

IGBT diskrete, IXYS


IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.