RGT8BM65DGTL1, IGBT, N-Kanal, 12 A 650 V, 3 ben, TO-252GE 1

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 10 enheder)*

Kr. 98,74

(ekskl. moms)

Kr. 123,42

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • Plus 2.490 enhed(er) afsendes fra 17. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
10 - 90Kr. 9,874Kr. 98,74
100 - 240Kr. 9,38Kr. 93,80
250 +Kr. 8,692Kr. 86,92

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
265-325
Producentens varenummer:
RGT8BM65DGTL1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

12 A

Kollektor emitter spænding maks.

650 V

Gate emitter spænding maks.

±30V

Effektafsættelse maks.

62 W

Antal transistorer

1

Konfiguration

Single

Kapslingstype

TO-252GE

Monteringstype

Overflademontering

Kanaltype

N

Benantal

3

ROHM IGBT bidrager til energibesparelser, høj effektivitet og en bred vifte af applikationer med høj spænding og høj strøm. IGBT'en har en lav mætningsspænding fra kollektor til emitter, hvilket gør den meget effektiv til forskellige anvendelser. Den har en kortslutningsmodstandstid på 5 mikrosekunder, hvilket sikrer en robust ydeevne under fejlforhold. Derudover er den udstyret med en indbygget meget hurtig og blød genvindingsdiode fra RFN-serien.

Lavt skiftetab
Pb-fri blybelægning
RoHS-overensstemmende

Relaterede links