onsemi, IGBT-strømforsyningsmodul, Type N, Type P-Kanal Halvbro, 800 A 1200 V, 11 Ben, PIM11 2 Hulmontering
- RS-varenummer:
- 277-059
- Producentens varenummer:
- NXH800H120L7QDSG
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 enhed)*
Kr. 1.654,58
(ekskl. moms)
Kr. 2.068,22
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 24 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 1.654,58 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 277-059
- Producentens varenummer:
- NXH800H120L7QDSG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | IGBT-strømforsyningsmodul | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 800A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 1200V | |
| Antal transistorer | 2 | |
| Konfiguration | Halvbro | |
| Emballagetype | PIM11 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Benantal | 11 | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Portsenderspænding maks. | 20 V | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2.05V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 20.8mm | |
| Længde | 152mm | |
| Bredde | 62.15mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype IGBT-strømforsyningsmodul | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 800A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 1200V | ||
Antal transistorer 2 | ||
Konfiguration Halvbro | ||
Emballagetype PIM11 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Benantal 11 | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Portsenderspænding maks. 20 V | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2.05V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 20.8mm | ||
Længde 152mm | ||
Bredde 62.15mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
ON Semiconductor Half Bridge IGBT Power Module har integrerede Field Stop Trench 7 IGBT'er og Gen. 7-dioder, hvilket giver lavere lednings- og koblingstab. Dette design giver høj effektivitet og overlegen pålidelighed. Modulet er konfigureret som en 1200 V, 800 A 2-i-1 halvbro, hvilket gør det velegnet til anvendelser, der kræver robust ydeevne og optimal effektkonverteringseffektivitet.
NTC-termistor
Isoleret bundplade
Loddebare stifter
Lavt induktivt layout
Pb-fri