FF2400R12IP7PBPSA1, IGBT, N-Kanal, 2,4 kA 1200 V 2
- RS-varenummer:
- 349-363
- Producentens varenummer:
- FF2400R12IP7PBPSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 enhed)*
Kr. 10.329,21
(ekskl. moms)
Kr. 12.911,51
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 3 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 10.329,21 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-363
- Producentens varenummer:
- FF2400R12IP7PBPSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 2,4 kA | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 1200 V | |
| Gate emitter spænding maks. | ±20V | |
| Effektafsættelse maks. | 20 mW | |
| Antal transistorer | 2 | |
| Konfiguration | Halvbro | |
| Monteringstype | Skruemontering | |
| Kanaltype | N | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 2,4 kA | ||
Kollektor emitter spænding maks. 1200 V | ||
Gate emitter spænding maks. ±20V | ||
Effektafsættelse maks. 20 mW | ||
Antal transistorer 2 | ||
Konfiguration Halvbro | ||
Monteringstype Skruemontering | ||
Kanaltype N | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon PrimePACK 3+ Dual IGBT Module med TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 Diode og NTC er designet til applikationer med høj effekt og tilbyder enestående ydeevne og pålidelighed. Den har den højeste effekttæthed, hvilket muliggør effektiv drift i kompakte rum. Med klassens bedste VCEsat sikrer modulet lav mætningsspænding, hvilket forbedrer den samlede effektivitet og reducerer effekttabet.
Øget effekttæthed
Mindre køling for samme udgangseffekt
Høj effekttæthed muliggør frame jump
Undgåelse af parallellægning af IGBT-moduler
Standardiserede boliger
Mindre køling for samme udgangseffekt
Høj effekttæthed muliggør frame jump
Undgåelse af parallellægning af IGBT-moduler
Standardiserede boliger
