IGQ75N120S7XKSA1, IGBT, N-Kanal, 7,5 A 1200 V, 3 ben, PG-TO247-3-PLUS-N 1

Se alle IGBT
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
284-981
Producentens varenummer:
IGQ75N120S7XKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

7,5 A

Kollektor emitter spænding maks.

1200 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Antal transistorer

1

Effektafsættelse maks.

630 W

Kapslingstype

PG-TO247-3-PLUS-N

Konfiguration

Enkelt kollektor, enkelt emitter, enkelt-gate

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

N

Benantal

3

Infineons IGBT er designet til at fungere effektivt ved 1200 V og samtidig sikre en robust ydeevne i krævende applikationer. Med banebrydende trench-teknologi udmærker denne enhed sig ved at kunne håndtere høje strømniveauer på op til 75 A, hvilket gør den ideel til industrielle strømforsyninger og systemer til vedvarende energi som f.eks. solcelleinvertere. Det omhyggelige design sikrer lav mætningsspænding og betydelig dv/dt-kontrol, hvilket forbedrer pålideligheden og effektiviteten af strømkonverteringssystemer. Med stor vægt på holdbarhed er denne IGBT valideret til industrielle anvendelser i henhold til strenge JEDEC-standarder, hvilket sikrer, at den lever op til de strenge krav i moderne elektronik.

Designet med grøftteknologi for effektivitet
Kortslutningsrobusthed sikrer pålidelig ydeevne
Bredt temperaturområde til forskellige anvendelser
Reducerede koblingstab forbedrer den termiske styring
Optimeret til højtydende industriel brug
Omfattende PSpice-modeller for nem integration
Lav gate-ladning giver hurtigere skiftehastigheder

Relaterede links