STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT, 108 A 650 V, 7 Ben, H2PAK-7 1 Overflade

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 15,71

(ekskl. moms)

Kr. 19,64

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.850 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 15,71
10 - 99Kr. 14,44
100 - 499Kr. 14,06
500 - 999Kr. 13,76
1000 +Kr. 13,39

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
330-362
Producentens varenummer:
GH50H65DRB2-7AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

IGBT

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

108A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

650V

Effektafsættelse maks. Pd

385W

Antal transistorer

1

Emballagetype

H2PAK-7

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Min. driftstemperatur

-55°C

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2V

Portsenderspænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

4.8mm

Længde

15.25mm

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Bredde

24.3 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics' nyeste IGBT 650 HB2-serie er en videreudvikling af den avancerede, proprietære trench gate field-stop-struktur. HB2-seriens ydeevne er optimeret med hensyn til ledning, takket være en bedre VCE(sat)-adfærd ved lave strømværdier, samt med hensyn til reduceret koblingsenergi.

AEC-Q101 kvalificeret

Maksimal tilslutningstemperatur TJ lig med 175 °C

Serie af højhastighedsafbrydere

Minimeret strøm i halen

Stram parameterfordeling

Lav termisk modstand

Positiv VCE(sat)-temperaturkoefficient

Pakket sammen med ensretterdiode med høj robusthed

Fremragende skifteydelse takket være den ekstra kelvinstift

Relaterede links

Recently viewed