GH50H65DRB2-7AG, IGBT, 108 A 650 V, 7 ben, H2PAK-7 1

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 15,71

(ekskl. moms)

Kr. 19,64

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.850 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 15,71
10 - 99Kr. 14,44
100 - 499Kr. 14,06
500 - 999Kr. 13,76
1000 +Kr. 13,39

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
330-362
Producentens varenummer:
GH50H65DRB2-7AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

108 A

Kollektor emitter spænding maks.

650 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Effektafsættelse maks.

385 W

Antal transistorer

1

Kapslingstype

H2PAK-7

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

7

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics' nyeste IGBT 650 HB2-serie er en videreudvikling af den avancerede, proprietære trench gate field-stop-struktur. HB2-seriens ydeevne er optimeret med hensyn til ledning, takket være en bedre VCE(sat)-adfærd ved lave strømværdier, samt med hensyn til reduceret koblingsenergi.

AEC-Q101 kvalificeret
Maksimal tilslutningstemperatur TJ lig med 175 °C
Serie af højhastighedsafbrydere
Minimeret strøm i halen
Stram parameterfordeling
Lav termisk modstand
Positiv VCE(sat)-temperaturkoefficient
Pakket sammen med ensretterdiode med høj robusthed
Fremragende skifteydelse takket være den ekstra kelvinstift

Relaterede links