STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT, 108 A 650 V, 7 Ben, H2PAK-7 1 Overflade

Indhold (1 enhed)*

Kr. 11,12

(ekskl. moms)

Kr. 13,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 1.795 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 11,12

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
330-362
Producentens varenummer:
GH50H65DRB2-7AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

IGBT

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

108A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

650V

Antal transistorer

1

Effektafsættelse maks. Pd

385W

Emballagetype

H2PAK-7

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Min. driftstemperatur

-55°C

Portsenderspænding maks.

20 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

4.8mm

Længde

15.25mm

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics' nyeste IGBT 650 HB2-serie er en videreudvikling af den avancerede, proprietære trench gate field-stop-struktur. HB2-seriens ydeevne er optimeret med hensyn til ledning, takket være en bedre VCE(sat)-adfærd ved lave strømværdier, samt med hensyn til reduceret koblingsenergi.

AEC-Q101 kvalificeret

Maksimal tilslutningstemperatur TJ lig med 175 °C

Serie af højhastighedsafbrydere

Minimeret strøm i halen

Stram parameterfordeling

Lav termisk modstand

Positiv VCE(sat)-temperaturkoefficient

Pakket sammen med ensretterdiode med høj robusthed

Fremragende skifteydelse takket være den ekstra kelvinstift

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.