Infineon, IGBT-modul, Type N-Kanal, 580 A 1200 V 0.04 μs, AG-62MM-1 Klemme

Dette IGBT-modul er konstrueret til at forbedre ydeevnen i forskellige industrielle applikationer. Med dimensioner på 106,4 x 61,4 x 30,9 mm kombinerer den høj effektivitet med robuste specifikationer og tilbyder en maksimal kontinuerlig kollektorstrøm på 580 A og en kollektor-emitterspænding på 1200 V. Dens design giver mulighed for effektiv integration i effektelektroniske kredsløb, hvilket gør den til et ideelt valg for dem, der har brug for pålidelige modulære IGBT-løsninger.

• Maksimal gate-emitter-spænding på ±20V giver driftsfleksibilitet

• Anvendes i inverterkredsløb til industrimaskiner

Den termiske modstand fra forbindelsen til kabinettet er 0,062 K/W, og fra kabinettet til kølelegemet er 0,031 K/W, hvilket sikrer effektiv varmeafledning under drift.

Med en maksimal driftstemperatur på +125 °C og et minimum på -40 °C er den velegnet til forskellige miljøforhold og krævende anvendelser.

En maksimal kontinuerlig kollektorstrøm på 580 A betyder, at dette IGBT-modul kan håndtere betydelige effektbelastninger, hvilket gør det ideelt til IGBT-applikationer med høj strøm i industrielle omgivelser.

Ja, den lave gatekapacitans på 28nF og de specificerede gate-drive-funktioner muliggør effektiv og hurtig switching, hvilket øger ydeevnen for effektelektroniske komponenter i kredsløb.