FF400R12KE3HOSA1, IGBT-modul, N-Kanal, 580 A 1200 V, AG-62MM-1 Serie

Se alle IGBT

Indhold (1 bakke af 10 enheder)*

Kr. 14.753,39

(ekskl. moms)

Kr. 18.441,74

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 26. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bakke*
10 +Kr. 1.475,339Kr. 14.753,39

*Vejledende pris

RS-varenummer:
166-0902
Producentens varenummer:
FF400R12KE3HOSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

580 A

Kollektor emitter spænding maks.

1200 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Effektafsættelse maks.

2 kW

Kapslingstype

AG-62MM-1

Konfiguration

Serie

Monteringstype

Panelmontering

Kanaltype

N

Transistorkonfiguration

Serie

Dimensioner

106.4 x 61.4 x 30.9mm

Driftstemperatur maks.

+125 °C

Driftstemperatur min.

-40 °C

COO (Country of Origin):
HU

Infineon IGBT-modul, 580A maksimal kontinuerlig kollektorstrøm, 1200V maksimal kollektor-emitterspænding - FF400R12KE3HOSA1


Dette IGBT-modul er konstrueret til at forbedre ydeevnen i forskellige industrielle applikationer. Med dimensioner på 106,4 x 61,4 x 30,9 mm kombinerer den høj effektivitet med robuste specifikationer og tilbyder en maksimal kontinuerlig kollektorstrøm på 580 A og en kollektor-emitterspænding på 1200 V. Dens design giver mulighed for effektiv integration i effektelektroniske kredsløb, hvilket gør den til et ideelt valg for dem, der har brug for pålidelige modulære IGBT-løsninger.

Egenskaber og fordele


• Maksimal gate-emitter-spænding på ±20V giver driftsfleksibilitet
• Høj effektafledningskapacitet på 2 kW understøtter krævende krav
• Designet til panelmontering, hvilket sikrer nem installation i forskellige miljøer
• Seriekonfiguration optimerer plads og driftseffektivitet

Anvendelser


• Anvendes i inverterkredsløb til industrimaskiner
• Optimeret til vedvarende energisystemer, f.eks. solcelleinvertere
• Effektiv i elektriske køretøjer og fremdriftssystemer
• Bruges i tungt automatiseringsudstyr, hvor høj strøm er afgørende

Hvad er specifikationerne for termisk modstand for dette modul?


Den termiske modstand fra forbindelsen til kabinettet er 0,062 K/W, og fra kabinettet til kølelegemet er 0,031 K/W, hvilket sikrer effektiv varmeafledning under drift.

Hvordan klarer dette IGBT-modul sig under varierende temperaturer?


Med en maksimal driftstemperatur på +125 °C og et minimum på -40 °C er den velegnet til forskellige miljøforhold og krævende anvendelser.

Hvad er konsekvenserne af den høje kollektorstrøm?


En maksimal kontinuerlig kollektorstrøm på 580 A betyder, at dette IGBT-modul kan håndtere betydelige effektbelastninger, hvilket gør det ideelt til IGBT-applikationer med høj strøm i industrielle omgivelser.

Kan dette modul håndtere hurtige skift effektivt?


Ja, den lave gatekapacitans på 28nF og de specificerede gate-drive-funktioner muliggør effektiv og hurtig switching, hvilket øger ydeevnen for effektelektroniske komponenter i kredsløb.


IGBT diskrete halvledere og moduler, Infineon


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links