ISL9V3040P3, IGBT, N-Kanal, 21 A 450 V, 3 ben, TO-220AB Enkelt

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 887,25

(ekskl. moms)

Kr. 1.109,05

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.150 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 17,745Kr. 887,25
100 - 450Kr. 14,552Kr. 727,60
500 - 950Kr. 12,263Kr. 613,15
1000 - 2450Kr. 11,156Kr. 557,80
2500 +Kr. 10,877Kr. 543,85

*Vejledende pris

RS-varenummer:
166-2175
Producentens varenummer:
ISL9V3040P3
Brand:
Fairchild Semiconductor
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Fairchild Semiconductor

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

21 A

Kollektor emitter spænding maks.

450 V

Gate emitter spænding maks.

±14V

Effektafsættelse maks.

150 W

Kapslingstype

TO-220AB

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

N

Benantal

3

Transistorkonfiguration

Enkelt

Dimensioner

10.67 x 4.7 x 16.3mm

Driftstemperatur min.

-40 °C

Driftstemperatur maks.

+175 °C

Diskrete IGBT'er, Fairchild Semiconductor



IGBT diskrete halvledere og moduler, Fairchild Semiconductor


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links