Fairchild Semiconductor AEC-Q101, IGBT, N-Kanal, 21 A 430 V 15 μs, 3 Ben, JEDEC TO-220AB Hulmontering
- RS-varenummer:
- 166-2175
- Producentens varenummer:
- ISL9V3040P3
- Brand:
- Fairchild Semiconductor
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om denne vare kommer på lager igen – den er ved at blive udfaset af producenten
- RS-varenummer:
- 166-2175
- Producentens varenummer:
- ISL9V3040P3
- Brand:
- Fairchild Semiconductor
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Fairchild Semiconductor | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 21A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 430V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 15μs | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.6V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Portsenderspænding maks. | ±10 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Serie | EcoSPARK | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Nominel energi | 300mJ | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Fairchild Semiconductor | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 21A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 430V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 15μs | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.6V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Portsenderspænding maks. ±10 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Serie EcoSPARK | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Nominel energi 300mJ | ||
Diskrete IGBT'er, Fairchild Semiconductor
IGBT diskrete halvledere og moduler, Fairchild Semiconductor
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.