IXYS, IGBT-modul, Type N-Kanal, 320 A 600 V 5 kHz, 4 Ben, SOT-227 Overflade

Indhold (1 rør af 10 enheder)*

Kr. 2.719,05

(ekskl. moms)

Kr. 3.398,81

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 10 enhed(er) afsendes fra 06. april 2026
  • Plus 300 enhed(er) afsendes fra 14. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
10 +Kr. 271,905Kr. 2.719,05

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4582
Producentens varenummer:
IXGN320N60A3
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

IGBT-modul

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

320A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

735W

Emballagetype

SOT-227

Monteringstype

Overflade

Kanaltype

Type N

Benantal

4

Switching-hastighed

5kHz

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

1.3V

Portsenderspænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

9.6mm

Længde

38.23mm

Serie

Low-Frequency

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

IGBT diskrete, IXYS


IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links