IXYS, IGBT-modul, Type N-Kanal, 320 A 600 V 5 kHz, 4 Ben, SOT-227 Overflade
- RS-varenummer:
- 168-4582
- Producentens varenummer:
- IXGN320N60A3
- Brand:
- IXYS
Indhold (1 rør af 10 enheder)*
Kr. 2.719,05
(ekskl. moms)
Kr. 3.398,81
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 10 enhed(er) afsendes fra 06. april 2026
- Plus 300 enhed(er) afsendes fra 14. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 271,905 | Kr. 2.719,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-4582
- Producentens varenummer:
- IXGN320N60A3
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | IGBT-modul | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 320A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 600V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 735W | |
| Emballagetype | SOT-227 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Kanaltype | Type N | |
| Benantal | 4 | |
| Switching-hastighed | 5kHz | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.3V | |
| Portsenderspænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 9.6mm | |
| Længde | 38.23mm | |
| Serie | Low-Frequency | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype IGBT-modul | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 320A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 600V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 735W | ||
Emballagetype SOT-227 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Kanaltype Type N | ||
Benantal 4 | ||
Switching-hastighed 5kHz | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.3V | ||
Portsenderspænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 9.6mm | ||
Længde 38.23mm | ||
Serie Low-Frequency | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
IGBT diskrete, IXYS
IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Relaterede links
- IXGN320N60A3 N-Kanal 4 ben, SOT-227B Fælles emitter
- IXYN30N170CV1 N-Kanal 4 ben, SOT-227B 1 Enkelt
- IXYN30N170CV1 N-Kanal 4 ben, SOT-227B 1 Enkelt
- FF900R12ME7B11BOSA1 N-Kanal AG - ECONOD Fælles emitter
- FP35R12W2T7B11BOMA1 N-Kanal AG - EASY2B Fælles emitter
- FF1800R17IP5BPSA1 N-Kanal8 kA 1700 V, AG-PRIME3+ Fælles emitter
- FP50R12W2T7B11BOMA1 N-Kanal AG - EASY2B Fælles emitter
- FF600R12ME4EB11BOSA1 N-Kanal 13 ben, EKONODUAL 2 Fælles emitter
