IXXH80N65B4H1, IGBT, N-Kanal, 430 A 650 V 5 → 30kHz, 3 ben, TO-247AD 1 Enkelt

Se alle IGBT
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
RS-varenummer:
168-4585
Producentens varenummer:
IXXH80N65B4H1
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

430 A

Kollektor emitter spænding maks.

650 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Antal transistorer

1

Effektafsættelse maks.

625 W

Kapslingstype

TO-247AD

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

N

Benantal

3

Switching-hastighed

5 → 30kHz

Transistorkonfiguration

Enkelt

Dimensioner

16.1 x 5.2 x 21.3mm

Driftstemperatur min.

-55 °C

Nominel energi

5.2mJ

Driftstemperatur maks.

+175 °C

COO (Country of Origin):
PH

IGBT diskrete, IXYS



IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links