STMicroelectronics, IGBT, N-Kanal, 200 A 600 V, 4 Ben, ISOTOP Klemme

Se alle IGBT
Få rabat ved storkøb

Tilføj 100 flere for at gemme 1%

Se mængderabatter

Indhold (1 rør af 10 enheder)*

Kr. 1.741,87

(ekskl. moms)

Kr. 2.177,34

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 570 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rør*
Besparelse
10 - 90Kr. 174,187Kr. 1.741,87-
100 +Kr. 172,04Kr. 1.720,401%

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-6463
Producentens varenummer:
STGE200NB60S
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

IGBT

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

200A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

600W

Emballagetype

ISOTOP

Monteringstype

Klemme

Kanaltype

N

Benantal

4

Min. driftstemperatur

-55°C

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

1.6V

Portsenderspænding maks.

±20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

ECOPACK, JESD97

Højde

12.2mm

Længde

38.2mm

Serie

Powermesh

Bredde

31.7mm

Bilindustristandarder

Nej

IGBT diskrete, ST Microelectronics


IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.